CPH5805 时间：2025/9/21 4:03:46 阅读：6

CPH5805是一款由ONSEMI（安森美）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Trench沟道技术制造，专为高效率、高频率的开关电源应用而设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度以及优异的热稳定性，适用于多种便携式电子设备和电源管理系统中。CPH5805广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电系统等场合。其小型化封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，适合对尺寸和功耗敏感的应用场景。该MOSFET在10V栅极驱动电压下表现出较低的导通损耗，同时具备较高的电流承载能力，能够在有限的温升条件下持续工作。此外，CPH5805符合RoHS环保标准，并通过了多项可靠性测试，确保在工业级温度范围内稳定运行。由于其出色的电气特性和封装优势，CPH5805成为许多中低功率电源设计中的优选器件之一。

参数

型号：CPH5805
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：9.3A
　　脉冲漏极电流（IDM）：37A
　　导通电阻 RDS(on) @ VGS = 10V：4.5mΩ
　　导通电阻 RDS(on) @ VGS = 4.5V：6.2mθ
　　阈值电压（Vth）典型值：1.4V
　　输入电容（Ciss）：1070pF @ VDS=15V
　　输出电容（Coss）：440pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间（trr）：18ns
　　二极管正向电压（VSD）：1.2V
　　最大功耗（PD）：2.5W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：PowerSO-8（带裸露焊盘）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

特性

CPH5805采用先进的TrenchFET技术，这种结构通过优化沟道密度和降低寄生电阻，显著提升了器件的导通性能和开关效率。其核心优势在于极低的导通电阻，在VGS=10V时RDS(on)仅为4.5mΩ，这意味着在大电流传输过程中产生的焦耳热更少，从而提高了系统的整体能效并减少了散热设计的复杂性。这一特性特别适合用于高密度电源模块和电池供电设备，例如笔记本电脑、移动电源和便携式医疗仪器等。
　　该器件具备出色的动态特性，包括低输入/输出电容和快速开关响应。Ciss仅为1070pF，使得栅极驱动电路所需的驱动功率较小，有利于高频PWM控制下的节能运行。同时，较短的反向恢复时间（trr=18ns）降低了体二极管在同步整流或感性负载切换过程中的能量损耗，有助于减少电磁干扰（EMI）并提升系统可靠性。这些特性使其非常适合用于同步降压变换器、半桥与全桥拓扑中的开关元件。
　　CPH5805的PowerSO-8封装集成了底部裸露焊盘，能够有效将热量传导至PCB地层或散热区域，增强了热管理能力。即使在环境温度较高的情况下，也能维持较低的结温上升，保障长期工作的稳定性。此外，该封装与标准SMT工艺兼容，便于自动化生产，提升了制造效率和产品一致性。
　　从安全与保护角度考虑，CPH5805具有高达±20V的栅源电压耐受能力，防止因栅极过压导致的永久性损坏。其阈值电压典型值为1.4V，可在逻辑电平信号（如3.3V或5V MCU输出）直接驱动下可靠开启，简化了驱动电路设计。综合来看，CPH5805在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡，是现代高效能电源设计中的理想选择。

应用

CPH5805广泛应用于各类需要高效、紧凑型功率开关的电子系统中。常见用途包括直流-直流（DC-DC）转换器，尤其是在同步整流拓扑结构中作为主开关或整流开关使用，凭借其低导通电阻和快速响应能力，可显著提升转换效率并降低温升。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，它常被用作电池管理系统的负载开关或电源路径控制器，实现对不同功能模块的上电/断电管理，以节约待机功耗。
　　在电机驱动领域，CPH5805可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为低端或高端开关元件，提供快速且可靠的电流切换能力。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其能在频繁启停或脉冲宽度调制（PWM）控制下稳定运行。
　　此外，该器件也适用于LED驱动电源、USB电源开关、热插拔控制器以及各种电源分配单元（PDU）中。在工业控制设备中，CPH5805可用于隔离式电源模块或继电器替代方案，实现固态开关功能，提高系统响应速度和寿命。得益于其小型化封装和高集成度，它还能满足空间受限应用场景的需求，如无人机、智能传感器节点和物联网终端设备等。总之，凡涉及中低电压、中等电流功率控制的场合，CPH5805均展现出卓越的技术适应性和经济性。