CPH5701-TL 时间：2025/9/20 23:05:56 阅读：6

CPH5701-TL是一款由Central Semiconductor Corp生产的N沟道MOSFET，采用先进的沟槽型场效应晶体管技术设计，专为高效率、高性能的电源管理与功率开关应用而优化。该器件封装在SOT-23小型贴片封装中，具有极小的占位面积，非常适合空间受限的便携式电子设备和高密度PCB布局设计。CPH5701-TL在低电压应用中表现出色，能够以极低的导通电阻（RDS(on)）实现高效的电流控制，从而降低功耗并提升系统整体能效。该MOSFET具备快速开关特性，适用于高频开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备中的电源管理模块。由于其优良的热稳定性和可靠性，CPH5701-TL广泛应用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类嵌入式系统中。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适合自动化贴片生产流程。CPH5701-TL的栅极阈值电压较低，可直接由逻辑电平信号驱动，兼容3.3V或5V数字控制器输出，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。

参数

型号：CPH5701-TL
　　极性：N-Channel
　　漏源电压VDS：30V
　　连续漏极电流ID：4.6A
　　脉冲漏极电流IDM：18A
　　栅源电压VGS：±20V
　　导通电阻RDS(on)：25mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻RDS(on)：30mΩ @ VGS=4.5V
　　栅极阈值电压VGS(th)：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容Ciss：420pF
　　输出电容Coss：140pF
　　反向传输电容Crss：40pF
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

CPH5701-TL采用先进的沟槽型MOSFET工艺制造，这种结构能够在较小的芯片尺寸下实现更低的导通电阻和更高的电流密度，显著提升了器件的功率处理能力。其典型的RDS(on)仅为25mΩ（在VGS=10V条件下），这意味着在大电流通过时产生的导通损耗非常低，有助于提高系统的能效并减少散热需求。即使在较低的栅极驱动电压（如4.5V）下，其RDS(on)也仅上升至30mΩ，仍保持良好的导通性能，这使得它能在多种供电环境下稳定工作。该器件的低VGS(th)特性（通常在1.0V到2.0V之间）使其能够被现代低电压微控制器或逻辑IC直接驱动，无需额外的驱动电路，极大地方便了电路设计。
　　此外，CPH5701-TL具有优异的开关速度，得益于其较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），能够实现快速的开启与关断动作，减少开关过程中的能量损耗，特别适用于高频PWM控制场合。其输入电容Ciss为420pF，输出电容Coss为140pF，这些参数确保了在高速开关过程中不会对驱动源造成过大的负载压力，同时也有助于抑制振荡现象的发生。器件还具备良好的热稳定性，在+150°C的最大结温下仍能可靠运行，配合SOT-23封装良好的热传导性能，可在紧凑空间内实现长期稳定的功率切换功能。所有这些特性共同使CPH5701-TL成为中小功率开关应用的理想选择。

应用

CPH5701-TL常用于需要高效、小型化功率开关解决方案的电子系统中。典型应用包括便携式消费类电子产品中的电源管理单元，例如智能手机和平板电脑中的背光驱动、摄像头模块供电控制以及USB接口的电源开关。它也广泛用于DC-DC升压或降压转换器中作为同步整流开关，以替代传统二极管，从而大幅降低导通压降和能量损耗，提升转换效率。在电池供电设备中，该器件可用于实现低静态电流的负载开关，有效延长电池续航时间。此外，CPH5701-TL还可应用于电机驱动电路、LED驱动电源、电源多路复用器以及各类嵌入式控制系统中的继电器或螺线管驱动替代方案。由于其SOT-23封装的小尺寸优势，特别适合用于空间敏感的设计场景，如可穿戴设备、物联网传感器节点和微型无人机等新兴领域。其高可靠性与一致性也使其适用于工业级环境下的信号切换和隔离控制任务。