类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：30V
　　连续漏极电流（Id）：4.4A
　　脉冲漏极电流（Idm）：17.6A
　　栅源击穿电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：22mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ @ Vgs=4.5V
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：500pF @ Vds=15V
　　开关时间-开启（Ton）：10ns
　　开关时间-关闭（Toff）：28ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-23

CPH5501-TL采用了先进的沟槽型MOSFET结构，这种设计显著提升了单位面积下的载流能力，从而实现了更低的导通电阻和更高的效率。其典型Rds(on)仅为22mΩ（在Vgs=10V时），即使在低至4.5V的驱动电压下也能保持28mΩ的低阻值，这使其非常适合用于电池供电设备中对功耗敏感的应用。由于导通损耗与Rds(on)成正比，低导通电阻意味着更少的能量以热量形式耗散，有助于提升系统能效并减少散热需求。
　　该器件具备快速的开关响应能力，开启时间约为10ns，关断时间约为28ns，这意味着它可以高效地工作在高频开关环境中，如同步整流DC-DC变换器或LED背光驱动电路。快速开关不仅提高了电源转换效率，还允许使用更小的外围滤波元件，进一步缩小整体解决方案尺寸。同时，输入电容仅为500pF，在保证性能的同时降低了驱动电路的负载，减少了栅极驱动功率消耗。
　　CPH5501-TL的阈值电压范围为1.0V至2.0V，表明其属于逻辑电平兼容型MOSFET，能够被现代微处理器或GPIO引脚直接驱动，无需额外的驱动IC。这一特性极大地简化了数字控制接口的设计，特别适用于需要由MCU直接控制负载开关的场合，例如显示屏电源启停、传感器模块供电控制等。
　　热稳定性方面，器件最大结温可达+150°C，并采用SOT-23小型封装，虽然热阻相对较高，但在合理布局和适当PCB铜箔散热设计下仍可承载高达4.4A的连续漏极电流。此外，该MOSFET通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压应力测试（HTRB）、高温栅极偏压测试（HTGB）等，确保在恶劣环境下长期稳定运行。

CPH5501-TL广泛应用于各类便携式电子设备中的电源管理和开关控制功能。常见用途包括手机和平板电脑中的LCD/OLED背光驱动电路，作为PWM调光的高速开关元件，利用其快速开关特性和低导通损耗实现高效的亮度调节。此外，它也常用于电池供电系统的负载开关，用于控制不同功能模块的上电时序，防止浪涌电流影响主电源稳定性。
　　在DC-DC转换器拓扑中，尤其是降压（Buck）和升压（Boost）电路中，CPH5501-TL可用于低边开关配置，配合控制器实现高效的电压转换。其低Rds(on)有助于提高转换效率，延长电池续航时间。在同步整流应用中，该器件可替代传统二极管，大幅降低导通压降，减少发热，提升整体能效。
　　其他应用场景还包括小型电机驱动、继电器驱动、USB端口电源控制、热插拔电路保护以及各种需要由微控制器直接驱动的小功率开关任务。由于其SOT-23封装体积小巧，非常适合高密度PCB布局，满足现代消费电子产品对小型化和轻薄化的需求。同时，其良好的ESD防护能力和抗干扰性能也增强了终端产品的可靠性。