CPH3437 时间：2025/9/21 11:54:20 阅读：28

CPH3437是一款由华润微电子推出的高性能N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及各类开关电源系统中。该器件采用先进的沟槽栅极工艺技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和优异的热稳定性等优点，能够在高频率下实现高效的能量转换。CPH3437适用于需要紧凑设计与高效能表现的应用场景，是现代电子设备中理想的功率开关元件之一。其封装形式通常为SOP-8或类似的小型表面贴装封装，便于在高密度PCB布局中使用，并具备良好的散热性能。此外，该器件符合RoHS环保标准，适合无铅回流焊工艺，满足工业级和消费类电子产品对可靠性和环境适应性的要求。

参数

型号：CPH3437
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：12A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：48A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on) max）：5.3mΩ @ VGS=10V, ID=6A
　　导通电阻（RDS(on) max）：6.8mΩ @ VGS=4.5V, ID=6A
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.3V
　　输入电容（Ciss）：1350pF @ VDS=15V
　　输出电容（Coss）：430pF @ VDS=15V
　　反向传输电容（Crss）：90pF @ VDS=15V
　　栅极电荷（Qg）：18nC @ VGS=10V
　　上升时间（tr）：15ns
　　下降时间（tf）：12ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8

特性

CPH3437采用先进的沟槽型场效应晶体管结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在保证高击穿电压的同时显著降低了导通电阻，从而有效减少功率损耗并提升整体效率。该器件在VGS=10V时可实现低至5.3mΩ的RDS(on)，即使在较低的驱动电压如4.5V下也能保持6.8mΩ的优异表现，使其非常适合用于电池供电设备或对能效要求较高的应用中。其低栅极电荷（Qg=18nC）和快速开关特性确保了在高频开关环境下仍能维持较低的驱动损耗和出色的动态响应能力。
　　器件具备优良的热稳定性和抗雪崩能力，能够在瞬态过载条件下安全运行，提高了系统的可靠性。内部结构设计兼顾了电流分布均匀性与热扩散效率，避免局部热点形成，延长了使用寿命。同时，CPH3437具有较低的输入、输出及反馈电容，有助于抑制高频噪声和串扰，增强电磁兼容性（EMC）表现。由于采用了SOP-8小型化封装，不仅节省了PCB空间，还支持自动化贴片生产，提升了制造效率。
　　此外，该MOSFET的阈值电压范围适中（1.0V~2.3V），便于与常见的逻辑电平驱动电路匹配，适用于由微控制器或专用驱动IC直接控制的场合。整体而言，CPH3437是一款兼具高性能、高可靠性和良好兼容性的功率MOSFET，特别适合用于笔记本电脑适配器、移动电源、LED驱动、电动工具和便携式电子设备中的DC-DC同步整流、负载开关和电机控制等关键环节。