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CPH3424-TL-E 发布时间 时间:2025/12/28 10:08:18 查看 阅读:73

CPH3424-TL-E是一款由Comchip Technology(强茂科技)生产的表面贴装小信号肖特基势垒二极管,采用SOD-323(SC-70)封装。该器件专为高频、低电压和小电流应用而设计,具备快速开关特性与较低的正向导通压降,适用于便携式电子设备和高密度电路板布局。CPH3424-TL-E通常由两个独立的肖特基二极管芯片集成于单一微型封装中,构成双二极管结构,可支持共阴极或共阳极配置,具体取决于产品版本。在实际应用中,该型号常用于信号整流、电压钳位、ESD保护、极性保护以及高频开关电路中。得益于其小型化封装和优良的电气性能,CPH3424-TL-E广泛应用于智能手机、平板电脑、无线模块、电源管理单元及各类消费类电子产品中。该器件符合RoHS环保要求,并支持无铅焊接工艺,适合现代自动化贴片生产流程。

参数

类型:双肖特基势垒二极管
  封装:SOD-323 (SC-70)
  配置:共阴极(典型)
  最大重复反向电压 (VRRM):30V
  最大直流反向电压 (VR):30V
  最大平均正向整流电流 (IO):300mA
  峰值脉冲正向电流 (IFSM):500mA
  最大正向电压 (VF):0.36V @ 1mA, 0.58V @ 10mA, 0.72V @ 30mA
  最大反向漏电流 (IR):0.1μA @ 1V, 10μA @ 25V
  工作结温范围 (TJ):-55°C 至 +125°C
  存储温度范围 (TSTG):-55°C 至 +150°C
  热阻抗 (RθJA):350°C/W(典型)
  安装方式:表面贴装

特性

CPH3424-TL-E的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒技术,利用金属-半导体结代替传统的PN结,从而显著降低了正向导通压降(VF),提高了整流效率并减少了功耗。这种低VF特性在微弱信号处理或电池供电系统中尤为重要,有助于延长设备续航时间。其典型的正向压降仅为0.58V左右(在10mA条件下),远低于普通硅二极管的0.7V水平,同时具备极快的反向恢复时间(通常小于1ns),几乎不存在反向恢复电荷(Qrr接近零),因此非常适合用于高频开关场合,如DC-DC转换器中的续流与箝位电路。
  该器件的SOD-323封装尺寸极小(约2.0mm x 1.25mm x 1.0mm),非常适合高密度PCB布局,尤其适用于空间受限的移动终端产品。尽管体积小巧,但其仍能承受最高300mA的连续正向电流和500mA的峰值脉冲电流,在轻负载条件下表现出良好的可靠性与稳定性。此外,其反向漏电流控制得当,在常温下仅为0.1μA(@1V),即使在高温环境下也能保持较低水平,确保电路在待机或低功耗模式下的性能不受影响。
  CPH3424-TL-E具有优异的热稳定性和抗浪涌能力,能够在-55°C至+125°C的结温范围内正常工作,满足工业级和消费级产品的环境要求。其热阻抗约为350°C/W,意味着在无额外散热措施的情况下需注意功率耗散控制,避免因局部过热导致寿命下降或失效。器件还具备良好的ESD耐受能力,能够承受一定程度的人体模型(HBM)静电放电冲击,提升了装配过程中的可靠性。整体而言,该二极管在性能、尺寸与成本之间实现了良好平衡,是中小功率模拟与数字混合信号系统中的理想选择之一。

应用

CPH3424-TL-E广泛应用于各类便携式电子设备和高频信号处理电路中。常见用途包括在移动通信设备(如智能手机、平板电脑)中作为射频前端模块的信号检波与隔离元件;在电源管理系统中用于防止反接、实现电压轨之间的隔离以及提供瞬态电压抑制保护;在USB接口、充电端口等I/O线路中充当ESD防护和极性保护器件,防止外部异常电压损坏主控芯片;在低压DC-DC转换器中作为同步整流辅助二极管或自举电路中的箝位元件,提升转换效率;在传感器信号调理电路中用于限幅与钳位,防止输入信号超出ADC采集范围;在LED驱动电路中防止反向电压损伤LED;以及在各种嵌入式控制板、无线模块(Wi-Fi、蓝牙、Zigbee)中执行逻辑电平转换与信号整形功能。由于其高频响应快、压降低、体积小等特点,特别适合对能效和空间有严格要求的应用场景。

替代型号

RB751S-30T1G
  PMMS2806T1G
  BAS70WT1G
  NSR02X

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CPH3424-TL-E参数

  • 典型关断延迟时间27 ns
  • 典型接通延迟时间8 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs6.4 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds220 pF V @ 20
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度1.6mm
  • 封装类型CPH 3
  • 尺寸2.9 x 1.6 x 0.9mm
  • 引脚数目3
  • 最大功率耗散1 W
  • 最大栅源电压±20 V
  • 最大漏源电压60 V
  • 最大漏源电阻值300 m
  • 最大连续漏极电流1.8 A
  • 最高工作温度+150 °C
  • 每片芯片元件数目1
  • 类别通用
  • 通道模式增强
  • 通道类型N
  • 配置
  • 长度2.9mm
  • 高度0.9mm