CPH3403-TL 时间：2025/12/28 10:08:53 阅读：10

CPH3403-TL是一款由Central Semiconductor Corp生产的N沟道MOSFET晶体管，采用SOT-23小型表面贴装封装。该器件专为高效率、低电压开关应用而设计，广泛应用于便携式电子产品和电源管理系统中。CPH3403-TL具有低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度以及良好的热稳定性，适合在空间受限且对功耗敏感的电路中使用。其栅极阈值电压较低，可直接由逻辑信号驱动，兼容TTL和CMOS电平，简化了与数字控制电路的接口设计。此外，该MOSFET具备优良的雪崩能量耐受能力，提高了系统在瞬态负载或反向电动势情况下的可靠性。产品符合RoHS环保标准，并通过无卤素认证，适用于现代绿色电子产品的制造要求。由于其优异的性能表现和紧凑的封装形式，CPH3403-TL常被用于电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及LED驱动等场景。

参数

类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压(VDSS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：5.8A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：23A
　　导通电阻(RDS(on))：16mΩ @ VGS=10V, 17mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压(VGS(th))：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)：590pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：170pF @ VDS=15V
　　反向传输电容(Crss)：45pF @ VDS=15V
　　开启延迟时间(td(on))：7ns
　　关断延迟时间(td(off))：22ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-23

特性

CPH3403-TL具备出色的电气特性和热性能，能够在高频开关条件下保持高效运行。其低导通电阻显著降低了导通损耗，有助于提高电源转换效率并减少发热，特别适用于大电流输出的同步整流和负载切换应用。
　　该器件的栅极电荷量较小，意味着驱动所需的能量较少，从而提升了整体系统的能效表现，尤其适合用于电池供电设备以延长续航时间。同时，快速的开关响应时间使其能够适应高频PWM控制策略，在DC-DC降压或升压变换器中实现更精确的功率调节。
　　得益于SOT-23封装的小尺寸优势，CPH3403-TL非常适合高密度PCB布局，可在智能手机、平板电脑、可穿戴设备等小型化电子产品中发挥关键作用。尽管封装体积小，但其散热设计经过优化，结合适当的PCB铜箔面积仍可支持较高功率的持续工作。
　　此外，CPH3403-TL具有较强的抗静电（ESD）能力和稳健的栅氧化层结构，增强了器件在实际生产装配及现场运行中的可靠性。内置体二极管提供了反向电流路径，可用于感性负载保护或续流功能，进一步扩展了其应用范围。
　　总体而言，这款MOSFET在性能、尺寸和成本之间实现了良好平衡，是中小功率开关电路中的理想选择之一，尤其适用于需要高性能与微型化的现代电子系统。

应用

广泛应用于便携式消费类电子产品中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机等设备的电池充放电控制电路；也常用于各类DC-DC转换器拓扑结构中，作为同步整流开关或主开关元件以提升转换效率；在低压照明系统中可用作LED背光或指示灯的驱动开关；还可用于电机控制、继电器替代、热插拔电源开关以及各类信号切换场合；此外，由于其良好的热稳定性和快速响应能力，也适合嵌入到各类工业传感器、IoT终端节点和无线通信模块的供电路径中进行负载调控。