时间：2025/9/21 2:39:33
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CPH3403-TL-E是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高开关性能的特点。该器件专为需要高效能和小尺寸封装的电源管理应用而设计，广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备中。CPH3403-TL-E采用SOT-23（小外形晶体管）封装，是一种表面贴装器件，适合在空间受限的印刷电路板上使用。其小型化设计不仅节省了PCB面积，还便于自动化生产装配。该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性，在工业级温度范围内（-55°C至+150°C）能够稳定工作，适用于多种严苛环境下的电子系统。此外，由于其快速的开关响应能力和较低的栅极电荷，CPH3403-TL-E能够在高频开关应用中有效降低开关损耗，从而提升整体系统效率。器件符合RoHS环保标准，并通过了无铅认证，满足现代电子产品对环保与安全性的要求。
型号：CPH3403-TL-E
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：SOT-23
极性：N-Channel
漏源电压Vds：30V
连续漏极电流Id（@25°C）：3.9A
脉冲漏极电流Idm：11A
导通电阻Rds(on)（典型值）：37mΩ @ Vgs=10V；45mΩ @ Vgs=4.5V
栅极阈值电压Vgs(th)：1.0V ~ 2.0V
栅极电荷Qg：8.5nC @ Vds=15V, Id=1.95A
输入电容Ciss：470pF @ Vds=15V
反向恢复时间trr：<30ns
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
功率耗散Pd：350mW
CPH3403-TL-E采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，这种结构能够在单位面积内实现更高的载流子迁移率，从而显著降低导通电阻Rds(on)，提高器件的电流处理能力。该器件在Vgs=10V时的典型Rds(on)仅为37mΩ，在同类SOT-23封装产品中表现出色，有助于减少导通损耗并提升电源系统的整体效率。低Rds(on)意味着在大电流条件下产生的热量更少，有利于改善系统的热管理设计。
该MOSFET的栅极阈值电压范围为1.0V至2.0V，属于逻辑电平兼容型器件，可以直接由3.3V或5V逻辑信号驱动，无需额外的电平转换电路，简化了控制电路设计，特别适用于微控制器直接控制的应用场景。同时，其较低的栅极电荷（Qg=8.5nC）使得开关速度更快，减少了开关过程中的能量损耗，提升了高频工作的效率。
CPH3403-TL-E具备出色的动态性能，包括低输入电容（Ciss=470pF）和极短的反向恢复时间（trr<30ns），这使其在同步整流、半桥和全桥拓扑等需要快速切换的应用中表现优异。此外，器件内部寄生二极管的性能也经过优化，可有效防止电压反冲对电路造成损害。
得益于SOT-23封装的小型化优势，CPH3403-TL-E非常适合用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和移动电源等。其表面贴装形式支持回流焊工艺，适用于现代化自动贴片生产线，提高了制造效率和产品一致性。该器件还具备良好的抗静电能力（ESD保护）和长期稳定性，确保在复杂电磁环境中可靠运行。
CPH3403-TL-E广泛应用于各类中小功率电源管理系统中。典型用途包括低压DC-DC转换器，特别是在降压（Buck）和升压（Boost）拓扑结构中作为主开关或同步整流开关使用，能够有效提高转换效率并减小整体方案体积。在电池供电系统中，它常被用作负载开关或电源路径管理单元，实现对不同模块的上电/断电控制，以达到节能目的。
该器件也可用于电机驱动电路，尤其是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动中，凭借其低导通电阻和快速响应能力，能够提供平稳的启停控制和高效的能量传输。此外，在LED驱动电源中，CPH3403-TL-E可用于调节电流路径，实现亮度调光功能。
在消费类电子产品中，如TWS耳机充电盒、智能手环、POS机和USB电源管理模块中，该MOSFET因其小封装和高性能而备受青睐。工业领域中，它可用于传感器供电控制、继电器驱动接口和隔离式电源开关等场合。由于其工作温度范围宽，也能适应汽车电子中的非高温区应用，例如车载信息娱乐系统的辅助电源管理。
此外，CPH3403-TL-E还可用于过流保护电路、热插拔控制器和ORing二极管替代方案中，利用其低正向压降特性代替传统肖特基二极管，从而降低功耗并提高系统效率。总之，这款器件以其高性能、小尺寸和高可靠性，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。
DMG3403UW-7,FDPF3403,SI2303DS,ME2303,AO3403
