类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：60V
　　发射极-基极电压（VEBO）：6V
　　集电极电流（IC）：500mA
　　功率耗散（PD）：300mW
　　直流电流增益（hFE）：100 - 400（典型值250）
　　过渡频率（fT）：200MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23
　　极性：NPN
　　最大集电极功耗：300mW
　　最小/最大工作温度：-55/+150°C

CPH3321-TL-E具备优异的高频响应能力，其典型的过渡频率（fT）达到200MHz，使其非常适合用于高频放大器、射频前端电路以及高速开关应用。这种高频性能确保了信号在宽频带内能够被有效放大而不会出现明显的失真或衰减，从而提升了整体系统的信号完整性。此外，该晶体管具有稳定的直流电流增益（hFE），在100至400的范围内保持高度一致性，即使在不同批次之间也能保证良好的互换性和电路稳定性。
　　该器件的低饱和电压特性是其另一大优势。在饱和状态下，集电极-发射极之间的电压降非常小，通常低于0.25V（在IC=100mA时），这有助于降低导通损耗，提高电源效率，特别适用于电池供电设备中的开关电路。低饱和压降还减少了热积累，提高了长期运行的可靠性。
　　CPH3321-TL-E采用SOT-23小型表面贴装封装，尺寸仅为2.9mm x 1.3mm x 1.1mm，极大节省了PCB布局空间，满足现代电子产品对微型化的需求。该封装具有良好的散热性能和机械强度，能够在自动贴片过程中承受回流焊工艺，并保持稳定的电气连接。此外，器件符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，支持绿色环保制造流程。
　　该晶体管的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，能够在极端环境条件下稳定工作，适用于工业控制、汽车电子和户外通信设备等严苛应用场景。其高击穿电压（VCEO=50V）也增强了电路的耐压能力，避免因瞬态过压导致器件损坏，提升了系统鲁棒性。综合来看，CPH3321-TL-E是一款性能均衡、可靠性高的通用NPN晶体管，适用于多种模拟与数字电路设计需求。

CPH3321-TL-E广泛应用于各类中小功率电子电路中。在消费类电子产品中，常用于音频前置放大器、信号缓冲级和逻辑电平转换电路，凭借其高增益和低噪声特性，可有效提升音频质量和信号传输精度。在便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该器件被用于LED驱动、传感器接口和电源管理模块中的开关控制功能，实现高效节能的电源切换与调节。
　　在通信系统中，CPH3321-TL-E可用于射频信号的放大与调制解调电路，尤其是在UHF频段以下的应用中表现出良好的线性度和增益稳定性。它也可作为本地振荡器或混频器中的有源元件，参与信号处理过程。此外，在数据通信接口电路（如RS-232电平转换）中，该晶体管可用于实现信号的隔离与增强。
　　工业控制领域中，CPH3321-TL-E常见于继电器驱动、电机控制和光耦输出级等开关应用。其快速开关速度和较低的饱和压降有助于减少能量损耗并提升响应速度，从而提高控制系统效率。在汽车电子中，可用于车身控制模块、仪表盘指示灯驱动以及车载传感器信号调理电路，适应宽温工作环境和振动冲击条件。
　　此外，该器件还可用于DC-DC转换器中的反馈控制环路、恒流源设计以及各种模拟开关电路，展现出良好的通用性和灵活性。由于其成本低、性能稳定且易于获取，CPH3321-TL-E成为工程师在原型设计和批量生产中常用的分立器件之一。

MMBT3904, BC847B, 2N3904, FSCQ126