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CPH3249-TL-E 发布时间 时间:2025/9/21 5:00:14 查看 阅读:6

CPH3249-TL-E是一款由Comchip Technology(强茂科技)生产的表面贴装小信号肖特基势垒二极管,采用SOD-323封装。该器件专为高频、高速开关应用设计,具备低正向电压降和快速反向恢复时间的特点,适用于需要高效能和紧凑布局的现代电子电路。CPH3249-TL-E通常用于电源管理、信号整流、极性保护以及高频检波等场景中。该二极管具有优良的热稳定性和可靠性,符合RoHS环保标准,并支持无铅焊接工艺,适合自动化贴片生产流程。其小型化封装使其在便携式设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端中广泛应用。此外,CPH3249-TL-E在制造过程中经过严格筛选和测试,确保批次一致性与长期工作稳定性,是替代传统玻璃封装小信号二极管的理想选择之一。

参数

型号:CPH3249-TL-E
  封装/包装:SOD-323
  极性:单路肖特基二极管
  最大重复反向电压(VRRM):30V
  平均整流电流(IO):200mA
  峰值浪涌电流(IFSM):500mA
  正向压降(VF):典型值0.32V @ 10mA,最大值0.4V @ 10mA
  反向漏电流(IR):最大10μA @ 25°C,25V
  反向恢复时间(trr):<1ns
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +125°C
  存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
  引脚数:2
  安装类型:表面贴装(SMD)
  湿度敏感等级(MSL):1级(≤30°C/85%RH)
  无铅/符合RoHS:是

特性

CPH3249-TL-E的核心特性在于其采用先进的肖特基势垒结构,这种结构利用金属-半导体接触形成整流效应,显著降低了正向导通电压。相比于传统的PN结二极管,肖特基二极管的载流子传输机制以多数载流子为主,几乎不涉及少数载流子的存储效应,因此具备极快的开关速度和极短的反向恢复时间(trr < 1ns),非常适合用于高频整流和高速开关电路中。这一特性使得CPH3249-TL-E在开关电源、DC-DC转换器、同步整流辅助电路以及射频信号检测等对响应速度要求极高的应用中表现出色。
  该器件的最大重复反向电压为30V,平均整流电流可达200mA,能够在有限的空间内提供足够的电流承载能力,满足大多数低功率信号处理和电源管理需求。同时,其正向压降非常低,典型值仅为0.32V,在10mA工作电流下即可实现高效导通,有效减少功耗和发热,提升系统整体能效。这对于电池供电设备尤为重要,有助于延长续航时间。
  SOD-323封装是一种超小型表面贴装封装形式,尺寸约为1.7mm x 1.25mm x 1.0mm,占用PCB面积极小,便于高密度布局。该封装具有良好的热传导性能和机械稳定性,适用于回流焊和波峰焊等多种贴片工艺。此外,CPH3249-TL-E通过了严格的可靠性测试,包括高温反偏(HTRB)、高温存储(HTSL)、温度循环(TC)等,确保在恶劣环境下的长期稳定运行。其宽泛的工作结温范围(-55°C 至 +125°C)也使其适用于工业级和汽车电子等对环境适应性要求较高的应用场景。

应用

CPH3249-TL-E广泛应用于各类消费类电子产品和工业控制设备中。在移动通信设备如智能手机和平板电脑中,常被用作电源路径管理中的防反接保护二极管或电池充电回路中的隔离元件,利用其低正向压降减少能量损耗,提高充电效率。在便携式医疗设备和可穿戴设备中,由于空间受限且对功耗极为敏感,该器件凭借其微型封装和高效率特性成为理想选择。
  在电源管理系统中,CPH3249-TL-E可用于DC-DC转换器的续流二极管或自举电路中的箝位元件,其快速响应能力和低VF有助于提升转换效率并降低电磁干扰(EMI)。此外,在高频信号处理电路中,例如无线模块、蓝牙/Wi-Fi收发器和射频识别(RFID)系统中,该二极管可用于信号整流、包络检波和瞬态电压抑制,确保信号完整性。
  工业自动化设备中,该器件可用于传感器接口电路中的信号调理部分,防止反向电压损坏敏感IC;也可作为逻辑电平转换电路中的钳位保护元件。在汽车电子领域,尽管其额定参数未达到车规级主电源应用的要求,但仍可用于车身控制模块、信息娱乐系统等次级电路中进行信号整流和ESD防护。此外,由于其符合RoHS指令和无卤素要求,适用于出口型产品和绿色电子产品设计。

替代型号

[
   "RB751S-30",
   "SMS3401",
   "BAT54C",
   "MBR0520",
   "PMG2801EP"
  ]

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CPH3249-TL-E参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)350V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)800mV @ 100mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 100mA,5V
  • 功率 - 最大900mW
  • 频率 - 转换20MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-96
  • 供应商设备封装3-CPH
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称869-1125-6