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CPH3247-TL-E 发布时间 时间:2025/9/21 13:43:19 查看 阅读:9

CPH3247-TL-E是一款由Central Semiconductor Corp生产的双极性晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件采用SOT-23小型表面贴装封装,适用于高密度PCB布局和空间受限的应用场景。CPH3247-TL-E设计用于高频、低电压和低电流开关及放大应用,具备良好的增益性能和快速开关响应能力。该晶体管在消费类电子产品、便携式设备、电源管理电路以及信号处理系统中广泛应用。其材料符合RoHS环保标准,不含铅(Pb)等有害物质,适合无铅焊接工艺。CPH3247-TL-E的电气特性使其成为替代传统小信号晶体管的理想选择,尤其适用于需要稳定性和可靠性的现代电子系统。
  Central Semiconductor是一家专注于分立半导体器件开发与制造的公司,产品线涵盖二极管、晶体管、达林顿阵列等多种器件。CPH3247-TL-E在其产品系列中定位为通用NPN晶体管,具有较高的性价比和一致性,在批量生产和自动化贴片工艺中表现出色。该器件通常以卷带包装形式供货,便于自动化装配生产线使用,提高生产效率并降低人工成本。

参数

类型:NPN
  封装/外壳:SOT-23
  集电极-发射极最大电压(VCEO):50V
  集电极-基极最大电压(VCBO):60V
  发射极-基极最大电压(VEBO):6V
  最大集电极电流(IC):500mA
  最大集电极功耗(Pc):300mW
  直流电流增益(hFE):100~400(典型值250)
  过渡频率(fT):200MHz
  最大工作温度:+150°C
  最小工作温度:-55°C
  饱和电压(VCE(sat)):@ IC=100mA, IB=10mA 典型值0.25V

特性

CPH3247-TL-E具备优异的高频响应能力和稳定的直流电流增益特性,能够在宽频率范围内保持良好的放大性能。其过渡频率(fT)高达200MHz,使得该晶体管非常适合用于射频前端、高速开关电路和中频放大器等应用场景。在小信号放大电路中,CPH3247-TL-E能够提供清晰的信号增益,减少失真,提升整体系统信噪比。此外,由于其较低的饱和压降(VCE(sat)),在开关模式下可有效降低导通损耗,提高能效表现。
  该器件的SOT-23封装具有体积小、重量轻、热阻适中的优点,适合在紧凑型电路板上进行高密度布局。同时,SOT-23封装支持回流焊和波峰焊等多种表面贴装工艺,确保在大规模生产中的焊接可靠性。CPH3247-TL-E的热稳定性良好,在-55°C至+150°C的宽温度范围内均可正常工作,适用于工业级和汽车级电子设备。
  另一个关键优势是其直流电流增益(hFE)范围较宽(100~400),这表明其在不同工作条件下仍能维持较高的放大倍数,适应多种偏置电路设计需求。无论是在恒流源、电平转换、还是逻辑驱动电路中,都能实现稳定可靠的性能输出。此外,该晶体管对静电敏感度较低,具备一定的抗干扰能力,有助于提升系统的长期运行稳定性。
  CPH3247-TL-E还具有较低的寄生电容和快速的开关响应时间,有利于减少开关延迟和上升/下降时间,从而满足高速数字逻辑接口或脉冲信号处理的需求。综合来看,这款晶体管以其高性能、高可靠性和易于集成的特点,成为现代电子设计中不可或缺的小信号处理元件之一。

应用

CPH3247-TL-E广泛应用于各类消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑、智能手表和其他便携式设备中的信号切换与电平转换电路。它常被用作逻辑门驱动器、LED驱动开关或传感器信号放大器,在这些应用中发挥着关键作用。此外,在电源管理系统中,该晶体管可用于低压差稳压器(LDO)的使能控制或电池充电状态指示电路。
  在通信设备领域,CPH3247-TL-E因其高频特性而被用于无线模块的射频开关、天线调谐电路或小信号前置放大器。其200MHz的过渡频率足以应对蓝牙、Wi-Fi、Zigbee等短距离无线通信协议的信号处理要求。
  工业控制和自动化系统也大量采用此类晶体管,例如在PLC输入输出模块中作为光电耦合器的驱动管,或在继电器驱动电路中实现隔离控制。此外,在测试测量仪器、音频前置放大器和模拟开关电路中,CPH3247-TL-E也能提供精确的信号调理功能。
  由于其符合RoHS标准且支持无铅焊接,该器件同样适用于医疗电子、汽车电子和物联网终端设备等对环境和可靠性要求较高的行业。无论是作为开关还是放大用途,CPH3247-TL-E均展现出出色的适应性和稳定性,是工程师在设计中小功率模拟与数字电路时的优选器件之一。

替代型号

[
   "MMBT3904",
   "BC847B",
   "2N3904",
   "FMMT718",
   "KSC3068"
  ]

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