类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压VDS：20V
　　栅源电压VGS：±8V
　　连续漏极电流ID：3.4A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流IDM：12A
　　导通电阻RDS(on)：22mΩ（@VGS=4.5V）
　　导通电阻RDS(on)：26mΩ（@VGS=2.5V）
　　阈值电压VGS(th)：0.6V ~ 1.2V
　　输入电容Ciss：380pF（@VDS=10V）
　　输出电容Coss：110pF（@VDS=10V）
　　反向传输电容Crss：40pF（@VDS=10V）
　　栅极电荷Qg：8nC（@VGS=4.5V）
　　开启延迟时间td(on)：8ns
　　关断延迟时间td(off)：25ns
　　工作结温范围Tj：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围Tstg：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOT-23/SOT-323

CPH3215采用先进的沟槽型MOSFET工艺，这种结构能够在较小的芯片面积上实现更低的导通电阻，从而显著减少导通损耗。其典型RDS(on)仅为22mΩ（在VGS=4.5V条件下），这意味着在通过较大电流时仍能保持较低的压降和发热，有助于提高系统的能效比。这对于电池供电设备尤为重要，因为低导通电阻可以延长续航时间。
　　该器件具备快速开关能力，得益于较低的栅极电荷（Qg=8nC）和寄生电容（Ciss=380pF），使得CPH3215在高频开关应用中表现出色，如DC-DC转换器、同步整流电路等。同时，短的开启和关断延迟时间（分别为8ns和25ns）保证了信号响应的及时性，减少了开关过程中的交越损耗，提升了整体电源转换效率。
　　CPH3215还具备良好的热稳定性，在高温环境下依然能维持稳定的电气性能。其最大工作结温可达+150℃，表明其在恶劣工况下仍具有较高的可靠性。此外，器件内部采用了优化的散热设计，结合SOT-23封装的小尺寸特性，可在有限空间内实现高效散热，避免因局部过热导致器件失效。
　　该MOSFET具有较宽的安全工作区（SOA），可承受一定的瞬态过载电流，增强了系统在异常情况下的鲁棒性。其阈值电压范围为0.6V~1.2V，支持低电压逻辑直接驱动，兼容3.3V甚至更低的控制信号，非常适合现代低功耗微控制器或逻辑IC的直接接口应用，无需额外的电平转换电路。
　　综上所述，CPH3215不仅具备出色的电气参数，还在可靠性、封装尺寸、驱动兼容性和成本之间实现了良好平衡，使其成为中小功率开关应用的理想选择。

CPH3215广泛用于各类中小功率电源管理系统中，尤其是在需要高效率和小体积解决方案的场合。常见应用包括便携式电子设备中的负载开关，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中用于控制不同模块的供电通断，利用其低导通电阻和快速响应特性实现高效的电源管理。
　　在直流电机驱动电路中，CPH3215可用于H桥结构中的低端开关，控制电机的启停和方向切换，其高电流承载能力和快速开关特性有助于提升电机响应速度并减少能耗。
　　此外，该器件也常被用于同步整流型DC-DC转换器中，作为次级侧整流元件替代传统肖特基二极管，大幅降低整流损耗，提高转换效率，尤其适用于12V转5V或3.3V等低压大电流输出场景。
　　在LED驱动电路中，CPH3215可用作恒流调节开关，配合电感和控制IC实现升压或降压拓扑结构，确保LED稳定发光的同时减少发热问题。
　　其他应用场景还包括电源多路复用器、热插拔控制器、USB电源开关、电池充电管理模块以及各类消费类电子产品的开关控制单元。凭借其SOT-23小封装优势，特别适合高密度PCB布局和自动化贴片生产，满足现代电子产品轻薄化、集成化的发展趋势。

AO3400, Si2302, FM2302, GSD2302