CPH3210 时间：2025/9/21 5:43:49 阅读：5

CPH3210是一款由华润微电子推出的高性能、高可靠性的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、电机驱动、开关电源（SMPS）、LED照明驱动以及消费类电子产品中。该器件采用先进的沟槽栅极工艺技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性等优点，能够在高温和高电压环境下稳定工作。CPH3210封装形式为SOP-8或DFN5x6等小型化表面贴装封装，适合对空间要求较高的紧凑型设计。其额定电压通常为30V至40V，最大持续漏极电流可达数十安培，适用于中等功率级别的应用场合。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力和ESD保护特性，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。作为国产替代进口MOSFET的优选型号之一，CPH3210在成本控制与供应链安全方面也具备显著优势，已被广泛用于各类工业控制、智能家电、移动设备电源模块等领域。

参数

型号：CPH3210
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：40V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：120A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流(IDM)：480A
　　导通电阻(RDS(on))：1.3mΩ（@VGS=10V, ID=60A）
　　阈值电压(Vth)：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss)：11000pF（@VDS=20V）
　　输出电容(Coss)：2900pF
　　反向传输电容(Crss)：420pF
　　栅极电荷(Qg)：170nC（@VGS=10V）
　　功耗(Pd)：250W（Tc=25℃）
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：DFN5x6

特性

CPH3210采用先进的沟槽型场效应晶体管结构设计，具备极低的导通电阻RDS(on)，这使得它在大电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体能效。其1.3mΩ的超低RDS(on)值在同类产品中处于领先水平，特别适合用于同步整流、电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器等对效率要求极高的场景。该器件通过优化的芯片布局和封装技术，有效降低了寄生电感和热阻，提升了高频开关性能和散热能力，从而支持更高的开关频率运行而不会导致过热问题。
　　该MOSFET具有出色的动态特性，包括较低的栅极电荷Qg和米勒电容Crss，这意味着在高速开关过程中所需的驱动能量更少，有利于减少开关损耗并提升电源系统的转换效率。同时，其高达±20V的栅源电压耐受能力增强了对栅极驱动电路异常波动的容忍度，防止因过压导致的器件损坏，提高了系统可靠性。
　　CPH3210还具备优良的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，结温最高可达175℃，确保了在恶劣工作条件下的长期可靠运行。其封装采用DFN5x6无引脚设计，不仅节省PCB空间，还通过底部散热焊盘实现高效热传导，进一步增强散热效果。此外，该器件通过了AEC-Q101车规级可靠性认证，可用于汽车电子中的辅助电源、车载充电模块等严苛环境应用。
　　在抗干扰和安全性方面，CPH3210内置一定的ESD保护机制，并具有较强的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下维持器件完整性，避免系统崩溃。这些综合特性使其成为替代国际品牌如Infineon OptiMOS、ON Semiconductor PowerTrench系列的理想选择，尤其适用于追求高性能与本土化供应保障的设计方案。

应用

CPH3210广泛应用于多种高效率、高功率密度的电力电子系统中。典型应用场景包括但不限于：大电流同步整流开关电源（SMPS），特别是在服务器电源、通信电源和工业电源中作为主控开关或次级侧整流元件；在DC-DC降压/升压变换器中用于实现高效的电压调节，满足FPGA、CPU、GPU等高性能处理器的供电需求；在电动工具、无人机、电动自行车等设备的电机驱动电路中作为H桥或半桥拓扑中的开关元件，提供快速响应和低功耗表现。
　　此外，该器件也常用于锂电池保护板（BMS）和电池充放电管理模块中，承担充放电通路的通断控制任务，凭借其低RDS(on)可有效减少发热，延长电池使用寿命。在LED恒流驱动电源中，CPH3210可用于PWM调光控制或主功率开关，提升光源亮度稳定性和系统效率。
　　由于其优异的热性能和小型化封装，CPH3210同样适用于空间受限的便携式设备，如移动电源、快充适配器、PD充电器等消费类电子产品。在智能家居和物联网设备中，它可用于各类继电器驱动、电磁阀控制及电源切换模块。随着国产化替代趋势加速，CPH3210正在逐步进入汽车电子领域，用于车载逆变器、灯光控制系统、车载充电机（OBC）辅助电源等子系统，展现出良好的市场前景和技术适应性。