类型：肖特基势垒二极管
　　封装/包装：SOD-323
　　是否无铅：是
　　是否符合RoHS：是
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流阻断电压（VR）：30V
　　最大正向平均电流（IF(AV)）：200mA
　　峰值脉冲电流（IFSM）：500mA
　　最大正向电压（VF）：450mV @ 10mA
　　最大反向漏电流（IR）：200nA @ 25°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值4ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +125°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

CPH3210-TL-E的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构所带来的低正向导通压降和极快的开关速度。与传统硅PN结二极管相比，该器件在正向导通时的电压降仅为约450mV（在10mA条件下），这意味着在相同工作电流下，其功耗显著降低，有助于提升整体系统效率，尤其在电池供电或对能耗敏感的应用中表现优异。这种低VF特性也减少了热量积聚，提高了长期运行的稳定性。
　　另一个关键特性是其极短的反向恢复时间（trr），典型值仅为4纳秒。这一指标意味着在高频开关过程中，二极管能够迅速从导通状态切换到截止状态，几乎不存在载流子存储效应，从而大幅减少开关损耗并抑制电磁干扰（EMI）。这对于诸如开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、高频整流电路以及射频信号处理等应用场景至关重要。
　　CPH3210-TL-E的SOD-323封装不仅体积小巧（典型尺寸约为1.7mm x 1.25mm x 1.1mm），便于自动化贴片生产，而且具有良好的散热性能和机械强度。该封装形式支持回流焊工艺，适用于大规模表面贴装技术（SMT），确保了高良率和一致性。同时，器件具备-55°C至+125°C的工作结温范围，使其能够在严苛环境条件下稳定运行，包括高温工业环境或低温户外设备。
　　此外，该二极管具有较低的反向漏电流（最大200nA@25°C），这在高阻抗电路或精密模拟信号路径中尤为重要，可避免因漏电引起的信号失真或功耗增加。尽管肖特基二极管通常在高压应用中存在漏电流较大的问题，但CPH3210-TL-E在30V的耐压等级下实现了良好的平衡，兼顾了性能与可靠性。总体而言，CPH3210-TL-E凭借其高效、快速、紧凑和可靠的综合特性，成为众多中小功率高频电子系统中的理想选择。

CPH3210-TL-E因其优异的电气特性和紧凑封装，被广泛应用于多种电子系统中。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，它常用于电池充电管理电路中的极性保护和反向电流阻断，防止电池反接或外部电源异常导致的损坏。同时，在这些设备的DC-DC升压或降压转换器中，该二极管作为续流二极管使用，利用其低正向压降减少能量损耗，延长电池续航时间。
　　在通信接口电路中，CPH3210-TL-E可用于USB、HDMI或其他高速数据线路的静电放电（ESD）保护和信号钳位，确保瞬态过压不会损坏后端IC。其快速响应能力使其能够有效吸收尖峰脉冲，保护敏感逻辑电路。此外，在射频（RF）模块中，该二极管可用于检波、混频或限幅电路，得益于其高频特性，可在GHz以下频段实现良好性能。
　　在工业控制和自动化设备中，CPH3210-TL-E常用于传感器信号调理电路中的整流与钳位，以及PLC输入输出模块中的电平转换与隔离保护。其宽温工作能力和高可靠性确保了在恶劣工业环境下的长期稳定运行。
　　另外，该器件也适用于LED驱动电路中的防倒灌二极管，防止关断时电流回流造成损害；在微处理器复位电路中用作延迟元件；或在高频逆变器、开关电源次级侧整流等场合替代普通整流二极管以提高效率。总之，凡是需要小型化、高效率、快速响应的二极管功能的场合，CPH3210-TL-E都是一个极具竞争力的选择。

RB520S-30T1G
　　BAV99W
　　PMBS3904,115