CPH3152-TL-E 时间：2025/9/21 4:11:41 阅读：5

CPH3152-TL-E是一款由Comchip Technology Corporation生产的表面贴装小信号肖特基二极管，采用SOD-323封装。该器件专为高频、高速开关应用而设计，具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特点，适合在便携式电子设备和高密度电路板中使用。CPH3152-TL-E由两个独立的肖特基势垒二极管组成，配置为共阴极结构，常用于电源整流、电压钳位、极性保护以及信号解调等场合。该器件符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造。其小型化封装有助于节省PCB空间，特别适合移动通信设备、消费类电子产品和便携式电源管理系统中的应用。
　　作为一款高性能的双肖特基二极管阵列，CPH3152-TL-E在工作温度范围内表现出良好的热稳定性和电气可靠性。其结构设计优化了载流子迁移路径，从而降低了导通损耗并提高了整体效率。此外，该器件具备较高的反向击穿电压裕度，在瞬态电压冲击下仍能保持稳定工作，增强了系统的抗干扰能力。制造商通过严格的品质控制流程确保产品的一致性和长期可靠性，使其广泛应用于各类工业控制、汽车电子外围电路及电池供电设备中。

参数

型号：CPH3152-TL-E
　　封装：SOD-323
　　通道数：双通道
　　配置：共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流反向电压（VR）：30V
　　最大正向电流（IF）：300mA
　　峰值脉冲正向电流（IFSM）：500mA
　　最大正向电压降（VF）：450mV @ 150mA
　　反向漏电流（IR）：100μA @ 30V
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C ~ +150°C

特性

CPH3152-TL-E的核心特性之一是其采用的肖特基势垒技术，这种结构利用金属与半导体之间的势垒形成整流效应，显著降低了传统PN结二极管中存在的正向压降。由于没有少数载流子的储存效应，该器件展现出极快的开关速度和几乎可以忽略的反向恢复时间，这对于高频开关电源、DC-DC转换器以及高速逻辑电路中的信号整形至关重要。低正向压降不仅提升了能量转换效率，还减少了发热，有助于提高系统整体的热管理性能。
　　另一个重要特性是其共阴极双二极管结构设计，使得两个阳极共享一个公共阴极端子，这种配置非常适合用于输入电压的双向钳位或双路信号整流应用。例如，在USB接口或音频线路中，它可以有效防止反接电压对后级电路造成损坏。同时，该结构也常被用于构建简单的或门逻辑电路，实现电源冗余切换功能。
　　SOD-323封装是一种超小型表面贴装封装形式，尺寸紧凑（典型尺寸约为1.7mm x 1.25mm x 1.0mm），非常适合高密度印刷电路板布局。尽管体积小，但其引脚设计具备良好的焊接可靠性和机械强度，能够承受回流焊工艺的高温过程。此外，该封装具有较低的寄生电感和电容，有利于提升高频性能。
　　该器件的工作温度范围宽达-55°C至+125°C，表明其可在严苛环境条件下稳定运行，适用于工业级甚至部分汽车电子应用场景。其反向漏电流在额定电压下仅为100μA，说明在关闭状态下具有优异的阻断能力，减少了静态功耗。综合来看，CPH3152-TL-E在效率、尺寸、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是一款适用于多种现代电子系统的理想选择。

应用

CPH3152-TL-E广泛应用于需要高效、小型化和高可靠性的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理电路，用于电池充放电路径的隔离与极性保护。在这些设备中，该二极管能够防止因电池反接或外部电源异常而导致的电路损坏。
　　在通信模块中，该器件可用于RF信号检波、本地振荡器输出隔离以及天线端口的静电放电（ESD）防护辅助电路。由于其快速响应特性，它能在高频信号处理中有效抑制不必要的反射和串扰，提升信号完整性。
　　此外，CPH3152-TL-E也常用于DC-DC转换器中的同步整流替代方案或续流二极管，特别是在低电压、小功率应用中，其低VF特性有助于减少能量损失，提高转换效率。在微控制器I/O引脚保护电路中，它可以作为电压钳位元件，将瞬态过电压引导至电源轨或地，从而保护敏感逻辑电路不受损害。
　　其他应用还包括LED驱动电路中的防倒灌二极管、多电源系统中的自动电源选择电路、传感器信号调理模块中的箝位与限幅电路等。由于其符合RoHS指令且支持无铅焊接，因此也适用于出口型电子产品和绿色环保认证项目。