CPDZ3V3U-HF 是一款由罗姆(ROHM)生产的超低导通电阻、小型化贴片式 P 沟道 MOSFET。该产品采用 USP-6B 封装,适用于各种需要高效开关和低功耗的应用场景。其主要特点包括极低的导通电阻以及出色的热性能,非常适合便携式设备和其他对空间和能耗要求较高的应用。
CPDZ3V3U-HF 的设计旨在提高电路效率,同时减小整体解决方案的尺寸。通过优化的芯片结构和封装技术,它能够提供稳定的电气性能,即使在高频开关条件下也能保持较低的损耗。
型号:CPDZ3V3U-HF
类型:P沟道 MOSFET
封装:USP-6B
Vds(漏源电压):-30V
Rds(on)(导通电阻,典型值):2.5mΩ
Id(持续漏电流):-14A
栅极电荷:18nC
Vgs(th)(栅极阈值电压):-0.7V to -1.1V
工作温度范围:-55℃ to 150℃
功耗:2.7W
CPDZ3V3U-HF 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),仅为 2.5mΩ(典型值),这有助于降低导通损耗并提升系统效率。
2. 高效的小型封装 USP-6B,能够节省 PCB 空间,并适合高密度设计。
3. 良好的热性能,支持长时间稳定运行,尤其在高温环境下表现优异。
4. 支持高达 14A 的持续漏电流,满足大电流应用场景的需求。
5. 可靠性高,适用于汽车电子、工业控制及消费类电子产品等多种领域。
6. 工作温度范围宽广 (-55℃ 至 +150℃),确保在极端环境下的正常操作。
CPDZ3V3U-HF 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 中的负载开关或同步整流器。
2. 电池管理系统中的电池保护和切换。
3. 汽车电子中的电机驱动和负载切换。
4. 工业自动化设备中的信号隔离和功率传输。
5. 消费类电子产品中的快速充电电路和 USB-PD 控制。
6. LED 驱动器中的调光和开关控制。
7. 各种需要高性能 MOSFET 的场合,如逆变器、DC/DC 转换器等。
CPDZ3V3U-LF, CPD3V3U-HF