类型：瞬态电压抑制二极管阵列
　　通道数：6
　　工作电压：5V
　　反向关断电压（VRWM）：5V
　　击穿电压（VBR）：6.4V @ 1mA
　　最大峰值脉冲电流（IPP）：4A
　　钳位电压（VC）：12.8V @ 4A
　　寄生电容：典型值0.8pF（每通道）
　　响应时间：小于1ns
　　封装形式：SOT-23-6L
　　极性：双向
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　ESD防护能力：±30kV（人体模型）

CPDT6-5V4U的核心特性之一是其超低的寄生电容，典型值仅为0.8pF，这使得它非常适合用于高速数据接口的保护。在现代电子系统中，如USB 2.0、HDMI、SD卡接口等，信号频率越来越高，传统保护器件由于电容过大可能导致信号失真或衰减，而CPDT6-5V4U凭借其极低电容有效避免了这一问题，确保信号完整性不受影响。此外，该器件具备双向极性设计，能够应对正负方向的瞬态电压冲击，增强了其在复杂电磁环境下的适应能力。
　　另一个关键特性是其快速响应能力，响应时间小于1纳秒，能够在瞬态过压事件发生的瞬间立即导通，将多余能量泄放到地，从而将线路电压钳制在安全范围内。这种快速动作机制对于抵御静电放电（ESD）尤为关键，因为ESD脉冲上升时间极短（通常在纳秒级别），若保护器件响应不够快，则可能在保护启动前就已造成芯片损坏。CPDT6-5V4U的钳位电压为12.8V（在4A峰值电流下），远低于大多数CMOS集成电路的击穿电压，因此能有效防止后级电路受损。
　　该器件还具备良好的热稳定性和重复性，能够在多次瞬态事件后仍保持性能不变。其采用SOT-23-6L小型表面贴装封装，不仅节省PCB空间，而且便于自动化贴片生产，适用于大规模制造。此外，CPDT6-5V4U通过了IEC 61000-4-2 Level 4（±30kV空气放电，±20kV接触放电）等国际EMC标准测试，证明其在严苛电磁环境下的高可靠性。整体而言，CPDT6-5V4U是一款高性能、高集成度的ESD保护解决方案，兼顾了电气性能、物理尺寸与环境适应性，满足现代电子设备对可靠性和小型化的双重需求。

CPDT6-5V4U广泛应用于需要高等级ESD保护的便携式和固定式电子设备中。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中的高速数据端口保护，例如USB接口、音频插孔、触摸屏信号线等。这些设备经常暴露在用户直接接触的环境中，极易受到人体静电放电的影响，因此必须配备高效的TVS保护器件。CPDT6-5V4U的低电容和快速响应特性使其成为此类应用的理想选择。
　　在通信领域，该器件可用于以太网PHY接口、RS-485、CAN总线等工业通信线路的瞬态抑制，防止因电缆感应雷击或电源耦合引起的电压浪涌损坏收发器芯片。此外，在数字电视、机顶盒和多媒体播放设备中，HDMI、DisplayPort等高清视频接口也常采用CPDT6-5V4U进行信号线保护，确保高质量音视频传输不受干扰。
　　工业控制系统、医疗仪器和汽车电子模块中同样可以见到该器件的身影。例如，在车载信息娱乐系统的USB充电/数据端口中，CPDT6-5V4U可提供可靠的ESD和瞬态电压防护。由于其宽工作温度范围（-55°C至+150°C），该器件也能适应恶劣的工业或汽车环境。总之，任何需要多通道、低电容、高可靠性瞬态电压保护的场合，CPDT6-5V4U都是一个值得信赖的选择。

SP1006-05UTG
　　RCLAMP0504T
　　TPD6S050
　　ESDA6V1SC6F