CPC7695BBTR 是由 IXYS Corporation 生产的一款高性能双N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的Trench MOSFET技术,提供低导通电阻和高效率的功率开关性能。该器件采用8引脚TDFN封装,适用于需要高效能和小尺寸的应用场景。
类型:MOSFET
配置:双N沟道
漏极-源极电压(VDS):30V
连续漏极电流(ID):5.5A(每个通道)
导通电阻(RDS(on)):22mΩ(典型值,@VGS=10V)
栅极阈值电压(VGS(th)):1.1V~2.5V
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装:8-TDFN
CPC7695BBTR MOSFET采用先进的Trench技术,能够在低电压应用中提供极低的导通电阻(RDS(on)),从而降低导通损耗并提高效率。该器件的双N沟道配置使其非常适合用于同步整流、负载开关和DC-DC转换器等应用。此外,其高电流能力和低栅极电荷(Qg)使其在高频开关应用中表现出色,有助于提高系统效率。
该MOSFET具有出色的热性能,能够在高环境温度下稳定工作。其封装设计优化了热阻,使热量更容易从器件传导出去。此外,CPC7695BBTR还具有良好的抗雪崩能力和高耐用性,适合用于工业和汽车电子等对可靠性要求较高的应用。
由于其低VGS(th)特性,CPC7695BBTR可以与低压控制器兼容,适用于电池供电系统和低功耗设计。其快速开关能力也有助于减少开关损耗,从而进一步提高整体效率。
CPC7695BBTR 广泛应用于多种功率电子设备中,包括但不限于以下领域:
1. **电源管理**:用于DC-DC转换器、稳压器和负载开关等应用,提供高效能的功率转换和管理。
2. **电机控制**:在电机驱动电路中作为功率开关,提供快速响应和低损耗。
3. **电池管理系统**:用于电池充放电控制和保护电路,确保系统的安全性和稳定性。
4. **工业自动化**:在工业控制系统中用于功率开关和负载控制。
5. **消费电子**:用于笔记本电脑、平板电脑和移动设备中的电源管理模块。
由于其优异的性能和紧凑的封装,CPC7695BBTR也常用于空间受限的设计中,如便携式电子设备和嵌入式系统。
Si7695DP-T1-GE3, FDS6680, AO4406A