类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：650V
　　平均整流电流（IF(AV)）：10A
　　正向压降（VF）：典型值1.55V @ 10A, 25°C
　　最大正向浪涌电流（IFSM）：120A @ 8.3ms 半正弦波
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　储存温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　反向漏电流（IR）：典型值 250μA @ 650V, 25°C；最大值 1.5mA @ 650V, 150°C
　　反向恢复时间（trr）：≤ 15ns（实际接近于零）
　　封装类型：TO-252 (D-Pak)
　　安装类型：表面贴装
　　热阻结至外壳（RθJC）：约2.5°C/W

CPC5610ATR的核心优势源于其采用的碳化硅（SiC）半导体材料，这种宽禁带材料相比传统硅基二极管具有更高的临界击穿电场强度、更高的热导率和更低的介电常数。这使得器件能够在更高的电压下工作，同时保持较低的导通电阻和极低的反向漏电流。其最显著的电气特性之一是几乎为零的反向恢复电荷（Qrr），这意味着在高频开关过程中不会产生由载流子复合引起的能量损耗，从而大幅降低开关节点的振铃现象和电磁干扰（EMI）。这一特性对于提升DC-DC变换器、PFC电路和逆变器的效率至关重要。此外，由于没有少数载流子存储效应，该二极管在关断时不会出现电流反向流动，进一步提升了系统的动态响应能力和可靠性。
　　在热管理方面，CPC5610ATR表现出色。其最高工作结温可达+175°C，远高于传统硅二极管的150°C限制，允许在高温环境中长时间运行而不影响寿命或性能。结合低正向压降带来的低导通损耗，该器件即使在大电流条件下也能保持较低的温升，减少了对复杂散热系统的需求。其TO-252封装设计优化了热传导路径，确保热量能高效地从芯片传递到PCB或散热器，特别适合空间受限但功率密度要求高的应用。
　　另一个关键特性是其卓越的抗雪崩能力。碳化硅材料本身具有较高的击穿场强，使器件在瞬态过压或雷击等异常工况下仍能保持稳定，提高了系统鲁棒性。此外，该器件对dv/dt应力具有较强的耐受能力，避免了因快速电压变化导致的误触发或损坏。这些特性共同使其成为替代传统超快恢复二极管或硅基PIN二极管的理想选择，尤其在追求小型化、高效化和长寿命的现代电力电子系统中展现出明显优势。

CPC5610ATR因其优异的高频、高温和高效率特性，被广泛应用于多种高要求的电力电子系统中。在功率因数校正（PFC）级电路中，它常用于升压二极管，利用其零反向恢复特性来减少开关损耗，提升PFC级的整体效率，尤其是在连续导通模式（CCM）或临界导通模式（CrM）下表现突出。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于直流侧的防反接保护或MPPT电路中的续流路径，帮助系统在高日照和高温环境下维持高效运行。在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩中，CPC5610ATR可作为输出整流或中间母线箝位二极管，支持高功率密度设计并提升充电效率。
　　在工业电源领域，如服务器电源、通信电源和医疗电源中，该二极管适用于高频率工作的LLC谐振转换器或硬开关全桥拓扑中的同步整流辅助通道，有助于降低系统温升并提高可靠性。此外，在不间断电源（UPS）和储能系统（ESS）中，CPC5610ATR可用于双向DC-DC变换器的续流路径，确保能量高效回馈。其高温稳定性也使其适用于靠近发热源（如IGBT模块）安装的场合，简化系统热设计。在电机驱动和变频器中，该器件可用于制动单元或续流回路，吸收感性负载释放的能量，防止电压尖峰损坏主开关器件。总之，凡是对效率、功率密度和可靠性有严格要求的应用场景，CPC5610ATR都是一个极具竞争力的选择。

CPC5610HD
　　CPC5610HTR
　　C3D10065A
　　STPSC10H065Y