CPB8226-0111是一款高性能的射频(RF)功率晶体管,广泛用于无线通信系统中的功率放大器应用。该器件采用先进的硅双极晶体管技术制造,具有高功率增益、优良的线性度和良好的散热性能,适用于多种高频应用场景。
类型:射频功率晶体管
晶体管技术:硅双极型(Si Bipolar)
最大工作频率:150 MHz
最大输出功率:25 W
工作电压:28 V
封装形式:TO-247
热阻:0.5 °C/W
工作温度范围:-65°C至+150°C
CPB8226-0111射频功率晶体管具备高输出功率和高效能的特点,适合需要稳定性能的高功率射频应用。其高线性度确保了信号传输的保真度,降低了失真,适用于多载波无线系统和宽带通信设备。
该器件采用高可靠性封装,有助于快速散热,保证在高功率下的稳定运行。此外,其低热阻特性也增强了在高功耗应用中的耐用性。
CPB8226-0111的输入和输出阻抗匹配优化,简化了电路设计,并减少了外围元件的需求。其设计确保了在复杂电磁环境中的抗干扰能力,提高了系统的整体稳定性。
由于其高增益特性,该晶体管能够在较小的驱动功率下实现较大的输出功率,从而降低了系统功耗并提升了效率。这种特性使得它在基站放大器、工业射频设备以及广播系统中表现优异。
此外,该晶体管具有良好的过热和过载保护能力,确保在极端工作条件下的可靠性,延长了器件的使用寿命,降低了维护频率。
CPB8226-0111常用于蜂窝基站、广播发射机、工业射频加热设备、雷达系统和测试测量仪器等场合。它在多载波放大、高功率发射系统以及需要高效能射频功率放大的设备中尤为适用。
MRF151G, BLF188XR, 2SC2879, 2SC1969A, RD16HHF1