CPB7410-2150E 是一款由 L3Harris Technologies(原 Harris Semiconductor)制造的射频功率晶体管,专为高功率放大器应用而设计。这款晶体管采用硅双极性技术制造,适用于通信、广播、测试设备和工业加热等领域的高功率射频放大。CPB7410-2150E 具有高功率增益、良好的线性度和出色的热稳定性,适合在高频率和高功率条件下工作。
类型:硅双极性晶体管
封装形式:金属陶瓷封装(Metal/Ceramic)
最大集电极电流(Ic):15 A
最大集射电压(Vce):65 V
最大功耗(Ptot):1500 W
频率范围:DC 至 500 MHz
增益(|S21|):约 10 dB(典型值)
输出功率(Pout):1500 W(在175 MHz时)
阻抗匹配:50Ω输入/输出
工作温度范围:-65°C 至 +150°C
CPB7410-2150E 是一款专为高功率射频应用设计的晶体管,具有出色的功率处理能力和稳定性。其采用金属陶瓷封装,具有良好的散热性能和机械强度,适合在高温和高功率条件下长时间工作。该晶体管的增益性能稳定,在宽频率范围内保持良好的线性度,适合用于多频段或多用途射频放大系统。此外,CPB7410-2150E 还具备较低的失真和高效率,适用于高保真音频放大、广播发射机和工业射频加热系统。该器件在设计上优化了热管理和电流分布,提高了可靠性和寿命,适合在苛刻环境中使用。
CPB7410-2150E 的典型应用包括广播发射机的最终功率放大级、射频测试设备、高功率线性放大器和工业射频能量应用。其高频性能和大功率输出能力使其成为高性能射频系统中的关键组件。该晶体管的设计也考虑了与现有射频放大器架构的兼容性,便于集成到各种应用中。
CPB7410-2150E 主要用于需要高功率放大的射频系统中。典型应用包括广播发射机(如AM/FM广播)、射频测试和测量设备、高功率线性放大器、工业射频加热系统以及通信基础设施中的功率放大模块。其高输出功率和宽频率响应使其适用于多种射频放大需求,尤其是在需要高效率和高稳定性的场景中。
CPB7410-2150E 的替代型号包括 CPB7410-2150 和 CPB7410-2150F。这些型号在电气特性和封装上相似,可根据具体应用需求选择使用。