时间：2025/8/22 13:29:26
阅读：12
CPB7130-0110是一款由Cree（现为Wolfspeed）制造的功率晶体管，属于碳化硅（SiC）MOSFET器件。该芯片以其高效率、高频率操作和低导通损耗而闻名，特别适用于高压和高功率应用。CPB7130-0110在电力电子转换系统中表现出色，具有出色的热性能和耐用性，能够承受较高的工作温度。该器件常用于电动汽车、可再生能源系统以及工业电机驱动等应用领域。
工作电压：1200V
连续漏极电流：30A
导通电阻：110mΩ
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至+150°C
栅极电荷：60nC
漏源击穿电压：1200V
最大功耗：300W
CPB7130-0110采用碳化硅材料制造，具备卓越的电气性能和热管理能力。首先，该器件具有极低的导通电阻，有助于降低导通损耗，提高系统整体效率。此外，由于碳化硅的宽禁带特性，CPB7130-0110能够在更高的开关频率下工作，从而减小了无源元件的尺寸和重量，使系统更加紧凑和轻便。该器件还具备较高的热导率，能够在高温环境下稳定运行，提高系统的可靠性和寿命。CPB7130-0110的栅极电荷较低，减少了开关损耗，使其在高频应用中表现出色。此外，它的高击穿电压特性使其适用于高压应用，能够有效承受瞬态过电压。最后，CPB7130-0110采用标准TO-247封装，便于集成到现有的功率电子系统中，并且具备良好的机械和电气兼容性。
CPB7130-0110广泛应用于高功率和高频率的电力电子系统中。常见的应用包括电动汽车的车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、逆变器以及可再生能源系统中的太阳能逆变器。此外，该器件还可用于工业电机驱动、不间断电源（UPS）、储能系统以及电网基础设施中的高压功率转换设备。由于其优异的性能和可靠性，CPB7130-0110也适用于对效率和功率密度要求较高的高频电源应用，如电信电源和服务器电源系统。
C3M0065065J, SCT3080AL
