时间：2025/8/7 15:02:22
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CP3001RN 是一款由ONSEMI（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET专为高效率电源转换应用设计，适用于开关电源、DC-DC转换器以及负载开关等场景。CP3001RN采用先进的制造工艺，具备低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和优异的热稳定性，能够在高频率下稳定工作，满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：6.0A
最大漏-源电压（VDS）：30V
最大栅-源电压（VGS）：20V
导通电阻（Rds(on)）：32mΩ @ VGS = 10V
栅极电荷（Qg）：14nC
封装形式：DFN5x6
CP3001RN 具有极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高电源转换效率。其先进的沟槽式MOSFET结构确保了良好的电气性能和热性能。该器件在高温环境下依然保持稳定的工作状态，具有较高的可靠性和耐用性。此外，CP3001RN具备快速开关能力，适用于高频开关应用，从而减小外围元件的尺寸，实现系统小型化。
该MOSFET还集成了过热保护和过流保护功能，确保在异常工作条件下不会损坏。其封装形式DFN5x6具有良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产和高效组装。
CP3001RN 常用于各类电源管理系统中，如AC-DC适配器、DC-DC转换器、同步整流器、电池充电器、负载开关和电机驱动电路等。在通信设备、工业控制系统、消费类电子产品以及汽车电子系统中均有广泛应用。
SI4410BDY-T1-GE3
NDS355AN-T1
