COSFSA3157ST是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。该器件采用N沟道增强型结构,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提高系统效率。
COSFSA3157ST采用TO-263封装形式,适合表面贴装技术(SMT)工艺,广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:42A
导通电阻(典型值):3.8mΩ
栅极电荷:45nC
开关时间(典型值):ton=19ns,toff=26ns
工作结温范围:-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻,可显著减少导通损耗,提升整体效率。
2. 高速开关性能,适用于高频开关应用。
4. 小型化封装设计,节省PCB空间。
5. 内置ESD保护功能,增强了器件的抗静电能力。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动和控制
4. 电池管理及保护电路
5. 工业自动化设备中的功率开关
6. 消费类电子产品中的负载切换
CSD19536KCS, IRFZ44N, FDP5570N