类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　导通电阻（Rds(on)）：约1.75mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：约2.0V至4.0V
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TOLL（Toshiba Outline Package）

CNZ1HTTDD的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体效率。由于其低Rds(on)，该MOSFET在高电流应用中表现出色，能够有效处理大电流负载而不产生过多的热量。此外，该器件具有高雪崩能量耐受能力，确保在极端条件下也能稳定运行。
　　该MOSFET采用先进的沟槽结构设计，提供了优异的开关性能，降低了开关损耗。这使得CNZ1HTTDD非常适合用于高频开关电路，如DC-DC转换器和同步整流器。同时，其高栅极电荷（Qg）设计确保了良好的驱动能力，使得该器件能够在高频率下保持稳定的工作状态。
　　另一个显著的特点是其TOLL封装，这种封装形式提供了更小的PCB占用空间和更高的热效率。TOLL封装去除了传统封装中的引线，采用双面散热结构，提高了散热性能，从而提高了器件的可靠性和寿命。这种设计特别适用于紧凑型高功率密度的电源系统。
　　CNZ1HTTDD还具备较高的热稳定性和抗过载能力，能够在高温环境下长时间运行。这使得该MOSFET适用于工业级和汽车级应用，如电动汽车（EV）的电池管理系统、车载充电器（OBC）、48V轻混系统等。此外，该器件的高可靠性使其成为工业自动化、机器人、服务器电源等高性能系统的理想选择。

CNZ1HTTDD主要应用于需要高效能、高功率密度的电子系统中。其主要应用场景包括但不限于：电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电源分配系统；电机控制和驱动电路，特别是在电动汽车和工业自动化中；电池管理系统（BMS），尤其适用于高电压和大电流的锂电池组；车载充电器（OBC）和48V轻混动力系统；服务器和数据中心的高效率电源模块；太阳能逆变器和储能系统。

TPH1R406ND, SQJQ100EP, CSD19536KTT