电容值：100pF
　　容差：±1%
　　额定电压：25V
　　介质材料：C0G（NP0）
　　封装类型：0603（1608公制）
　　工作温度范围：-55°C至+125°C
　　绝缘电阻：10,000MΩ最小
　　耗散因数：最大0.15%
　　温度系数：0±30ppm/°C
　　尺寸（长×宽×高）：1.6mm × 0.8mm × 0.8mm

CNZ1FATTDD采用C0G（NP0）介质材料，提供了极其稳定的电容值，即使在极端温度变化下也不会发生显著的漂移。这种材料的温度系数为0±30ppm/°C，确保了电容值在广泛温度范围内的高度稳定性。此外，该电容器具有非常低的等效串联电阻（ESR）和低耗散因数，使其在高频应用中表现出色，能够有效减少信号损耗和发热。其多层结构设计和高可靠性使其在高温和高湿环境中依然能够保持稳定的性能。
　　该电容器符合RoHS标准，不含铅和其他有害物质，适用于环保要求较高的应用。CNZ1FATTDD采用了紧凑的0603封装形式，节省了PCB空间，同时确保了良好的焊接可靠性和机械强度。这种封装形式也使其适用于自动贴片机和回流焊工艺，提高了生产效率和产品一致性。
　　此外，CNZ1FATTDD的高绝缘电阻和优异的抗湿热性能，使其在长期使用中不易发生漏电流或电容值漂移，从而提高了系统的长期稳定性和可靠性。这些特性使其特别适用于高精度模拟电路、射频电路、滤波器、振荡器以及需要稳定电容值的精密电子设备。

CNZ1FATTDD广泛应用于需要高稳定性和低损耗的电子设备中。常见的应用包括射频（RF）模块、无线通信设备、精密测量仪器、音频放大器、传感器电路以及工业控制系统。由于其C0G介质的温度稳定性，它常用于定时电路、滤波器和振荡器电路中，以确保频率稳定性。此外，该电容器也适用于汽车电子系统、医疗设备和航空航天电子设备，在这些高可靠性要求的领域中提供稳定的电容支持。

GRM188R71H103KA01D, C1608C0G1H101J050BC