类型：达林顿光电晶体管输出光耦
　　通道数：1
　　正向电压（VF）：1.2V（典型值）
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　发射极-集电极电压（VECO）：7V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（PD）：150mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +110°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +125°C
　　最大隔离电压（VISOL）：5000VRMS
　　电流传输比（CTR）：300% ~ 600%
　　上升时间（tr）：3μs
　　下降时间（tf）：18μs
　　输入端LED波长：900nm（典型）

CNY17-4-W60E具备高增益达林顿结构带来的显著电流放大能力，使其能够在输入侧仅需较小的驱动电流即可实现输出端较大的负载驱动能力。这一特性特别适用于微控制器I/O口直接驱动光耦的应用场景，无需额外的缓冲或驱动电路。其内部由红外LED与达林顿连接的双晶体管组成，达林顿结构提供了极高的直流电流增益，从而实现了非常高的电流传输比（CTR），典型值可达300%以上，在低速信号隔离中优势明显。
　　该器件具有优良的电气隔离性能，支持高达5000VRMS的隔离电压，满足多种安全认证要求，可用于交流电网相关设备中的控制信号隔离。其绝缘材料和封装结构设计确保了长期运行下的稳定性和耐压能力。此外，CNY17-4-W60E的工作温度范围宽广，从-55°C到+110°C，适用于严苛环境下的工业控制系统、电机驱动模块和电源反馈回路。
　　响应速度方面，由于达林顿结构固有的电荷存储效应，其开关速度相对较慢，典型上升时间为3μs，下降时间可达18μs，因此不适合高频信号传输应用（如高速通信或PWM频率高于10kHz的场合）。但在大多数继电器驱动、状态检测、电平转换和低频隔离需求中仍表现可靠。
　　器件符合RoHS环保标准，采用无铅焊接兼容的DIP-6封装，便于自动化装配和手工焊接，适用于通孔安装工艺。同时，CNY17系列不同CTR分档型号（如CNY17-1至CNY17-6）允许用户根据实际电路需求选择合适增益等级，提升设计灵活性和一致性。

CNY17-4-W60E常用于需要电气隔离的各种电子系统中。典型应用包括可编程逻辑控制器（PLC）输入/输出模块中的信号隔离，用于将现场传感器或执行器信号与主控电路隔离开来，防止噪声干扰或高压窜入损坏核心处理器。
　　在开关电源反馈回路中，它可用于隔离次级侧的电压检测信号并将其传送到初级侧控制器，实现闭环稳压功能，尤其适用于反激式电源拓扑结构。虽然现代趋势倾向于使用更精确的光耦如PC817或专用反馈光耦（如TLP521配合TL431），但CNY17-4因高CTR仍可在部分低成本设计中使用。
　　该器件也广泛应用于工业自动化设备中的继电器驱动电路，通过微弱控制信号触发大电流负载。例如，单片机GPIO引脚驱动LED端，光电晶体管端控制继电器线圈通断，利用其高增益特性减少对外部驱动晶体管的需求。
　　其他应用场景还包括交流调压器、固态继电器（SSR）、电机控制板、UPS不间断电源、电池管理系统（BMS）中的状态监测隔离，以及老旧设备维护替换。由于其成熟的制造工艺和广泛的供货渠道，CNY17-4-W60E在工业、消费类和通信设备中均有广泛应用基础。

LTV817D-TA1, PC817X2NSZ, TLP521-4, EL817M-C}