类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：80A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ（典型值）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　最大功耗（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6

CNX82A300W 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这使得在大电流工作条件下，导通损耗大大降低，提升了整体系统效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，优化了电流传导路径，从而实现了更低的电阻值和更稳定的性能。
　　此外，该MOSFET具备优异的热性能，采用PowerFLAT 5x6封装，具有良好的散热能力，能够在高功率密度的应用中保持稳定运行。该封装还具有较小的体积，便于在紧凑型PCB设计中布局，适用于空间受限的应用场景。
　　CNX82A300W 还具备较强的抗雪崩能力和过载耐受性，能够在瞬态负载或异常工作条件下保持稳定，提高系统的可靠性。其栅极驱动电压范围较宽，支持标准逻辑电平驱动，便于与各种控制电路配合使用。
　　该器件的制造工艺符合RoHS环保标准，无铅且无卤素，符合现代电子产品对环保材料的要求。同时，其内部结构经过优化，具有较低的寄生电容，提高了开关速度，适用于高频开关应用，如同步整流、BLDC电机控制和电源转换器。

CNX82A300W 主要应用于高功率密度的电源管理系统中，例如DC-DC转换器、服务器电源、电信设备电源、工业电源、电机驱动控制和电池管理系统（BMS）。
　　在DC-DC转换器中，该MOSFET作为高边或低边开关使用，其低Rds(on)特性可以显著减少导通损耗，提高转换效率。在服务器和通信设备的电源系统中，CNX82A300W能够提供高电流能力和稳定的性能，满足高可靠性要求。
　　此外，该器件也广泛用于电机驱动系统，如电动工具、机器人和自动化控制设备中的H桥电路。其快速开关能力和良好的热性能，使得电机驱动系统响应更快、效率更高。
　　在电池管理系统中，CNX82A300W可用于电池充放电控制电路，确保电池组在安全范围内工作，延长电池寿命。

IPB045N10N3, STD82N10F7, STB82N10F7AG, IPU50R1K5CE