时间：2025/8/20 21:52:22
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CMXE60D20 是一款由 STMicroelectronics 生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于需要高效率和高性能功率转换的电路中。这款MOSFET采用先进的沟槽栅技术，提供了优异的导通电阻和开关性能，适用于电源管理、电机控制和DC-DC转换器等多种应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：200V
最大漏极电流(Id)：60A
导通电阻(Rds(on))：约0.026Ω
最大功率耗散(Pd)：300W
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至175°C
CMXE60D20 MOSFET具有低导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体系统的效率。此外，其高耐压能力（200V）使其适用于高电压环境下的功率管理应用。
该器件还具备优异的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下长时间稳定工作，适用于严苛的工业和汽车应用环境。CMXE60D20采用了先进的封装技术，提供了良好的散热性能，确保器件在高负载条件下的稳定性。
其快速开关特性也使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器。此外，CMXE60D20具有良好的短路耐受能力，能够在异常条件下提供更高的安全性。
CMXE60D20 主要用于以下应用场景：电源管理系统中的开关元件，用于提高能量转换效率；电机控制电路中的高侧或低侧开关；DC-DC转换器中的主开关器件，以实现高效的电压调节；工业自动化设备和电机驱动器中的功率控制模块；电动汽车和充电桩系统中的功率管理单元。
IPW60R028C7, FDPF60N20
