时间：2025/7/26 20:43:32
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CMT08N50N220 是一款由COSMO Electronics Corporation生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流的功率转换应用。这款MOSFET属于N沟道类型，具有较高的导通电流能力和较低的导通电阻，使其在开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器和其他高功率电子系统中具有良好的性能表现。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：8A
最大漏-源极电压（VDS）：500V
最大栅-源极电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω（最大值）
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C至+150°C
CMT08N50N220 MOSFET具备多项优异的电气特性和物理特性，适用于高功率应用场景。首先，其较高的漏-源极击穿电压（500V）允许其在高压环境中稳定工作，同时具备良好的抗过压能力。其次，导通电阻仅为0.22Ω，使得在导通状态下的功率损耗较低，提高了系统的整体效率。
此外，该MOSFET的栅-源极电压耐受范围较宽，达到±30V，能够在不同驱动条件下保持稳定工作。其TO-220封装形式不仅提供了良好的散热能力，还便于安装在标准散热片上，适用于各种工业和消费类电子产品。
该器件还具备良好的热稳定性和短路耐受能力，确保在高负载或异常工作条件下仍能保持可靠性。这使得CMT08N50N220在高温、高电流和频繁开关的应用中表现出色。
CMT08N50N220广泛应用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器以及LED照明电源等。其高耐压和低导通电阻的特性使其成为高效率电源转换系统的理想选择。此外，它也适用于需要高压控制和稳定功率输出的工业自动化设备和家电产品。
STP8NM50N, IRFBC40, FQP8N50C
