类型：齐纳二极管
　　封装类型：SOD-123
　　最大功率耗散：300mW
　　齐纳电压（标称）：3.3V
　　齐纳电流（测试条件）：5mA
　　动态电阻（Zzt）：最大10Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 150°C

CMSZDA33VLEADFREE 的主要特性包括其稳定的电压参考能力、低动态阻抗以及快速响应时间。该器件能够在宽泛的工作温度范围内保持性能稳定，并且由于采用了SOD-123封装，使得它在PCB布局上占用空间小，适合高密度电路设计。此外，无铅环保工艺使其满足国际环保法规要求。
　　齐纳二极管的核心功能是在反向击穿区域提供一个恒定的电压，这使得CMSZDA33VLEADFREE非常适合用于电压调节、信号钳位和参考电压生成等应用。其300mW的最大功率耗散能力允许在中等负载条件下使用而无需额外散热措施。
　　该器件的低动态电阻（Zzt）确保了即使在电流波动的情况下也能维持稳定的输出电压，从而提高系统的整体稳定性与可靠性。此外，CMSZDA33VLEADFREE还具备良好的温度系数，进一步增强了其在各种环境条件下的适用性。

CMSZDA33VLEADFREE广泛应用于各类电子设备中，如电源管理模块、电池充电器、电压监测电路、微控制器系统中的基准电压源、数据通信接口保护电路以及传感器信号调理电路等。其紧凑的设计和可靠的电气性能使其成为消费类电子产品、汽车电子系统及工业控制设备的理想选择。

PMBZ5231B-13-F