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CMPZDA20V 发布时间 时间:2025/12/26 23:37:15 查看 阅读:12

CMPZDA20V是一款由Central Semiconductor Corp生产的表面贴装小信号肖特基二极管阵列,采用双阳极共阴极(Dual Anode Common Cathode)配置。该器件专为高频、高速开关应用设计,适用于需要低正向压降和快速恢复特性的电路中。其结构基于肖特基势垒技术,利用金属-半导体结实现比传统PN结二极管更低的导通电压和更快的开关速度。由于没有少数载流子存储效应,CMPZDA20V在高频整流、信号解调、箝位和保护电路中表现出优异性能。该器件封装在微型SOT-23(TO-236AB)三引脚塑料封装中,适合高密度PCB布局和自动化贴片生产。其额定反向重复峰值电压(VRRM)为20V,适用于低压直流电路中的信号处理与电源管理功能。器件符合RoHS环保要求,并具备良好的热稳定性和可靠性,能够在-55°C至+150°C的结温范围内正常工作,适合工业、消费类及便携式电子设备使用。

参数

类型:双阳极共阴极肖特基二极管
  封装/外壳:SOT-23
  通道数:2
  最大重复反向电压 VRRM:20V
  最大直流反向电压 VR:20V
  最大正向平均电流 IF(AV):200mA
  峰值脉冲电流 IFSM:500mA
  最大正向电压 VF @ IF=10mA:420mV
  最大反向漏电流 IR @ VR=20V, 25℃:400μA
  反向恢复时间 trr:≤5ns
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  储存温度范围:-65°C 至 +150°C

特性

CMPZDA20V的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构,使得该器件具有显著低于传统硅PN结二极管的正向导通电压。在典型工作条件下(IF = 10mA),其正向电压降仅为约420mV,这有效降低了功耗并提高了系统效率,尤其在电池供电或低电压运行的应用场景中尤为重要。此外,由于肖特基二极管是多数载流子器件,不存在少数载流子的存储时间问题,因此其反向恢复时间极短,通常小于5ns,使其非常适合用于高频开关环境,如开关模式电源中的续流与箝位、高速数字信号整形以及射频检波等场合。
  该器件采用双阳极共阴极配置,即两个独立的阳极共享一个公共阴极,这种拓扑结构常用于全波整流前级、差分信号检测或双路输入保护电路中。例如,在USB接口或多通道传感器信号路径中,可同时对两路信号进行钳位或防反接保护,而无需使用两个独立的单体二极管,从而节省PCB空间并简化布线设计。SOT-23小型化封装不仅支持自动贴片装配工艺,还具备良好的散热性能,确保在紧凑空间内仍能维持可靠运行。
  CMPZDA20V具有较低的反向漏电流,在25℃时最大为400μA(VR=20V),但在高温环境下该值会有所上升,因此在高温应用中需注意热管理与漏电影响。尽管如此,其整体电气性能在同类产品中处于领先水平。器件通过AEC-Q101等可靠性认证的可能性较高,适用于汽车电子、工业控制、通信模块等领域。此外,该器件无铅且符合RoHS指令要求,支持绿色制造流程。

应用

CMPZDA20V广泛应用于各类需要高速响应和低功耗特性的电子系统中。常见用途包括:开关电源中的输出整流与续流二极管,特别是在低压大电流输出拓扑中,利用其低VF特性减少能量损耗;在DC-DC转换器中作为同步整流辅助二极管或自举电路中的隔离元件;用于高速数字I/O端口的静电放电(ESD)保护和电压箝位,防止过冲损坏后续逻辑电路;在模拟信号路径中实现峰值检测或包络检波,尤其是在高频通信接收前端;还可用于电池管理系统中的充放电路径隔离、多电源选择电路中的防倒灌二极管,以及传感器信号调理电路中的偏置限制。
  由于其微型封装和高集成度特点,该器件特别适合便携式设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的空间受限设计。此外,在汽车电子领域,可用于车载信息娱乐系统、LED照明驱动、CAN总线保护等模块。工业自动化设备中的编码器接口、PLC信号采集单元也可借助其快速响应能力提升系统精度与稳定性。

替代型号

[
   "RB751V20",
   "SMS7621",
   "BAT54C",
   "MBR0520"
  ]

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