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CMPDM203NH TR 发布时间 时间:2025/12/26 22:23:31 查看 阅读:12

CMPDM203NH TR是一款由Central Semiconductor Corp生产的表面贴装肖特基势垒二极管,采用SOD-123FL超小型封装。该器件专为高效率、小尺寸电源应用设计,适用于需要快速开关和低正向电压降的场合。其主要特点包括低漏电流、优良的热稳定性以及高可靠性,适合在紧凑型电子设备中实现高效的能量转换与管理。CMPDM203NH TR在便携式电子产品和高密度电路板布局中具有显著优势,广泛应用于消费类电子、通信设备及工业控制等领域。由于其优异的电气性能和稳定的制造工艺,该型号已成为许多设计工程师在选择微型整流二极管时的首选之一。
  这款二极管符合RoHS环保标准,并且具备无卤素(Halogen-Free)特性,满足现代绿色电子产品对环境友好材料的要求。此外,SOD-123FL封装具有较小的占位面积和良好的散热性能,使其能够在有限空间内提供可靠的电流传导能力。整体而言,CMPDM203NH TR结合了高性能与小型化设计,是适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及其他对体积和效率有严格要求的应用场景的理想解决方案。

参数

类型:肖特基势垒二极管
  封装/外壳:SOD-123FL
  配置:单路
  反向耐压(VRRM):20V
  平均整流电流(IO):500mA
  正向压降(VF):最大450mV(在500mA下)
  反向漏电流(IR):最大10μA(在20V下)
  工作结温范围:-55°C ~ +150°C
  峰值浪涌电流(IFSM):1.5A
  热阻(RθJA):350°C/W
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

CMPDM203NH TR的核心特性之一是其低正向压降(VF),典型值仅为450mV,在500mA的工作电流下能够显著降低导通损耗,提高电源系统的整体效率。这一特性尤其适用于电池供电设备和节能型电源管理电路中,有助于延长设备续航时间并减少发热。同时,较低的VF意味着在相同功率输出条件下可以减小散热需求,从而简化热设计并节省PCB空间。此外,该器件采用了先进的肖特基势垒技术,实现了极快的开关速度,几乎无反向恢复时间(trr < 10ns),因此非常适合用于高频整流和开关模式电源应用。
  另一个关键特性是其出色的热稳定性和可靠性。该二极管可在-55°C至+150°C的宽结温范围内正常工作,适应严苛的环境条件,如高温工业环境或低温户外设备。SOD-123FL封装虽然体积小巧(仅约2mm x 1.2mm),但经过优化设计,具备良好的热传导路径,能够在有限的空间内有效散发热量。这种高热稳定性确保了长期运行中的性能一致性,减少了因温度波动导致的参数漂移或失效风险。
  此外,CMPDM203NH TR具有较低的反向漏电流(IR ≤ 10μA @ 20V),这在低功耗待机模式或高阻抗电路中尤为重要,可防止不必要的电流泄漏,提升系统能效。其反向重复峰值电压为20V,适合用于低电压直流电源系统中的续流、防反接和极性保护等用途。器件还具备1.5A的峰值浪涌电流承受能力,能够在瞬态负载或启动过程中提供一定的安全裕量,增强系统的鲁棒性。
  从制造角度来看,Central Semiconductor采用严格的品质控制流程,确保每批产品的电气参数一致性。该器件符合AEC-Q101认证要求(若适用),可用于汽车电子系统。其无铅、无卤素设计也符合现代环保法规,便于在全球范围内推广应用。综合来看,CMPDM203NH TR凭借其高效、可靠、小型化的综合优势,成为众多高端电子设计中的优选方案。

应用

CMPDM203NH TR广泛应用于多种需要高效、小型化整流功能的电子系统中。在消费类电子产品领域,它常用于智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等便携设备的充电管理电路和DC-DC转换模块中,作为同步整流或续流二极管使用,以提高转换效率并减少发热。由于其SOD-123FL封装尺寸极小,非常适合高密度PCB布局,有助于缩小产品整体体积。
  在电源管理系统中,该器件可用于低压开关电源(如5V、3.3V输出)的次级侧整流,替代传统PN结二极管以降低压降损耗。它也常见于USB供电电路、LDO稳压器的旁路保护以及电池充放电路径中的防反接保护电路,确保电流单向流动,避免反向电压损坏敏感元件。
  在通信设备方面,CMPDM203NH TR被用于路由器、交换机和光模块的电源轨中,支持高频开关操作,提升电源响应速度与稳定性。其快速开关特性和低噪声表现有助于改善信号完整性,适用于对电磁干扰(EMI)敏感的应用环境。
  工业控制和自动化系统中,该二极管可用于PLC输入输出模块、传感器供电单元和电机驱动电路中的箝位与续流功能,吸收感性负载断开时产生的反电动势,保护主控芯片免受电压冲击。
  此外,在汽车电子中,尽管需确认是否通过AEC-Q101认证,但类似规格的肖特基二极管常用于车身控制模块、车载信息娱乐系统和辅助电源单元中。CMPDM203NH TR的小型化和高可靠性使其具备在此类环境中应用的潜力。总之,该器件适用于所有要求低电压、小电流、高效率和紧凑布局的整流与保护场景。

替代型号

[
   "RB751V-40",
   "MBR0520",
   "SMS7618",
   "BAT54C",
   "PMGJ4115CE"
  ]

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CMPDM203NH TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.2A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)50 毫欧 @ 1.6A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)10 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)395 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)350mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23F
  • 封装/外壳SOT-23-3 扁平引线