类型：射频功率晶体管
　　技术：SiC LDMOS
　　工作电压：35V
　　输出功率：>100W（CW）
　　频率范围：高频（HF）至超高频（UHF）
　　封装类型：高功率气密封装
　　输入和输出阻抗：50Ω（典型）
　　工作温度范围：-65°C至+150°C
　　增益：>20dB（典型）
　　效率：>60%（典型）

CMPA901A035F具备高功率密度和高热导率，这得益于其基于碳化硅（SiC）的基板技术，能够有效散热，从而提高器件的可靠性和寿命。该晶体管采用气密封装设计，确保了在恶劣环境下的稳定运行。此外，它具有优异的热稳定性和抗失真能力，使其适用于高线性度要求的应用场景。该器件的高效率特性可显著降低能耗和冷却需求，同时减少系统尺寸和重量，这对于高功率射频应用尤为重要。CMPA901A035F的高输入阻抗特性也简化了匹配电路的设计，从而降低了整体系统的复杂性。其宽频带特性使其适用于多频段或多标准通信系统，具有较高的灵活性。
　　CMPA901A035F的另一个显著特点是其出色的抗过载能力和抗静电放电（ESD）能力，这使其在面对瞬态条件和突发信号时依然能够保持稳定工作。该器件的封装设计优化了热管理和射频性能，使其能够承受长期的高功率运行而不会显著降低性能。此外，该晶体管支持多种调制方式，包括OFDM、QAM等复杂调制格式，适用于现代无线通信系统中的高数据速率传输。这种晶体管还具备良好的互调失真（IMD）特性，从而在多载波应用中提供高质量的信号输出。

CMPA901A035F广泛应用于广播发射机、无线基础设施（如蜂窝基站）、工业加热设备、测试设备和军事通信系统。该器件适用于需要高功率、高效率和高可靠性的射频放大器设计，尤其是在HF至UHF频段的应用。它在数字广播、DVB-T发射机和宽带通信系统中表现出色，能够支持多种调制格式和高数据速率传输。此外，该晶体管还可用于雷达系统、医疗射频设备以及高功率射频能量应用，如等离子体发生器和工业干燥系统。

CMPA801T035S, CMPA801B035F, CGH40010F