CMPA801B025F 时间：2025/9/11 8:13:19 阅读：29

CMPA801B025F 是一款由Cree（现为Wolfspeed）制造的碳化硅（SiC）功率MOSFET器件，适用于高频率、高效率的功率转换应用。这款MOSFET基于SiC材料，相较于传统的硅基MOSFET，具有更低的导通损耗和开关损耗，同时支持更高的工作温度。该器件采用先进的沟道技术，提供更高的可靠性和更宽的安全工作区域。

参数

类型：SiC 功率MOSFET
　　漏源电压(Vds)：650V
　　漏极电流(Id)：80A
　　导通电阻(Rds(on))：25mΩ
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　栅极电荷(Qg)：150nC
　　反向恢复电荷(Qrr)：50nC

特性

CMPA801B025F 具有优异的热管理和效率表现，这得益于其碳化硅材料的物理特性。该器件具备较低的导通电阻，从而减少了导通损耗，适用于需要高效率的电源系统。此外，其高频工作能力使其成为谐振变换器、DC-DC转换器和逆变器的理想选择。
　　该MOSFET还具备较低的栅极电荷（Qg）和反向恢复电荷（Qrr），有助于降低开关损耗并提高系统的整体效率。其宽泛的工作温度范围也意味着它可以在恶劣的环境条件下稳定运行。
　　由于采用了先进的SiC沟道技术，CMPA801B025F具有优异的短路耐受能力，提高了器件在异常工况下的可靠性。同时，其低电感封装设计减少了高频开关时的振铃效应，降低了电磁干扰（EMI）。
　　此器件的封装形式为TO-247，便于安装和散热管理，适合工业级应用需求。

应用

CMPA801B025F 广泛应用于各种高功率、高频率的电力电子系统中，包括但不限于工业电源、电动汽车充电系统、可再生能源逆变器（如太阳能逆变器）、储能系统以及高效率的DC-AC和DC-DC转换器。
　　在电动汽车领域，该器件可用于车载充电器（OBC）和主驱逆变器，提供更高的能量转换效率和更小的散热设计需求。在可再生能源系统中，如光伏逆变器和储能逆变器，CMPA801B025F能够显著提升系统的整体能效，并减少系统的体积和重量。
　　此外，该器件也适用于高频开关电源（SMPS）和UPS（不间断电源）系统，能够在高开关频率下保持较低的损耗，从而提高系统的稳定性和可靠性。