时间：2025/9/11 8:12:55
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CMPA5585025F 是一款由 Cissoid 公司设计的高温、高压、高可靠性的 SiC（碳化硅）功率模块，专为高功率密度和恶劣环境下的应用而设计。该模块集成了两个 SiC MOSFET，采用双路半桥（Half-Bridge）拓扑结构，适用于高效率电源转换系统，如电动汽车（EV）、可再生能源系统、工业电源和高温电力电子设备。
类型：SiC MOSFET 模块
拓扑结构：半桥（Half-Bridge）
最大漏源电压（VDS）：1200V
最大连续漏极电流（ID）：85A
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：双列直插式（Dual-in-Line）
绝缘耐压等级：1200V
导通电阻（RDS(on)）：约 25mΩ
栅极驱动电压：+20V/-5V
短路耐受能力：600V/85A 条件下可耐受 10μs
热阻（Rth）：芯片至外壳热阻约 0.25°C/W
CMPA5585025F 拥有出色的高温耐受能力，能够在高达 +175°C 的环境下稳定工作，适用于高温环境下的电力电子系统。该模块采用了先进的 SiC MOSFET 技术，具备低导通电阻和快速开关特性，从而显著降低开关损耗和导通损耗，提高系统整体效率。
此外，该模块具备优异的短路耐受能力，在高电压和大电流条件下仍能保持良好的稳定性，提升了系统的可靠性。模块采用高绝缘性能的封装材料，具备较强的抗电磁干扰（EMI）能力，并支持高 dv/dt 工作环境。
CMPA5585025F 还集成了内部温度传感器，支持过热保护功能，进一步增强了系统的安全性和稳定性。其双列直插式封装结构便于安装和散热管理，适用于需要高功率密度和高可靠性的应用场合。
CMPA5585025F 广泛应用于需要高效率、高可靠性和高温耐受能力的电力电子系统中。典型应用包括电动汽车（EV）车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器、电机控制器、可再生能源系统（如太阳能逆变器和风能转换系统）、工业高频电源、UPS（不间断电源）以及高温环境下的电力控制系统。
由于其出色的短路保护能力和高温稳定性，该模块特别适用于对系统安全性和冗余性要求较高的应用场景。
CMF300C120D、VSiC451RT-M17、SiC650CD120HFT、Wolfspeed CAS300M12BM2、STMicroelectronics MasterGaN4
