类型：GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）
　　工艺：GaN on SiC
　　工作频率：最高可达 6 GHz
　　漏极电流（Id）：10 A
　　漏极-源极电压（Vds）：55 V
　　输出功率：850 W（在 2.5 GHz 下）
　　增益：>14 dB（典型值）
　　效率：>70%（典型值）

CMPA5585025D 具备多项先进特性，使其在高功率射频应用中表现出色。
　　首先，该器件采用了 Cree 的 GaN on SiC 技术，提供了极高的热导率和稳定性，能够在高温环境下可靠运行。这种材料组合显著降低了热阻，从而提高了器件的功率密度和效率。
　　其次，CMPA5585025D 在 2.5 GHz 工作频率下可提供高达 850 W 的输出功率，适用于宽带通信、雷达、测试设备等高功率需求的场景。其典型增益超过 14 dB，效率达到 70% 以上，大大降低了系统功耗和散热需求。
　　此外，该晶体管的封装设计优化了射频性能，具有良好的阻抗匹配能力，减少了外部匹配电路的复杂度。其高线性度和稳定性也使其适合用于多载波放大器和数字预失真系统。
　　最后，CMPA5585025D 还具备良好的抗失配能力和高耐用性，能够在严苛环境下保持长期稳定运行。

CMPA5585025D 主要应用于高性能射频功率放大器系统。
　　其中，该器件广泛用于无线通信基础设施，如蜂窝基站（4G LTE 和 5G NR）、广播发射机和中继器，提供高效率、高线性度的放大能力。
　　在军事和航空航天领域，该晶体管可用于雷达系统、电子战设备和卫星通信系统，满足高功率、高频段的操作需求。
　　此外，它也适用于工业和科学仪器，如射频加热设备、等离子体发生器和测试测量设备，提供稳定可靠的高功率输出。
　　由于其优异的热性能和高可靠性，该器件还可用于需要长时间连续运行的高端通信和广播系统。

CGH40085、CGH40075、CMRD5060175A