时间：2025/5/9 18:23:07
阅读：27
CMPA0060002F是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够满足各种高效能设计需求。
其封装形式为TO-252(DPAK)，能够在较高的电流和电压环境下稳定工作，同时具备优异的耐热特性和较低的功耗。
最大漏源电压(VDS)：60V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：41A
导通电阻(RDS(on))：2mΩ
栅极电荷(Qg)：38nC
开关时间：ton=9ns, toff=17ns
工作结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻RDS(on)，可显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
3. 高电流承载能力，支持大功率应用场景。
4. 优异的热稳定性，能够在高温环境下长时间运行。
5. 小型化封装设计，便于PCB布局优化。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子中的电池管理系统(BMS)和逆变器控制。
IRFZ44N, SI4870DY, FDP067N06L
