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CMPA0060002F 发布时间 时间:2025/5/9 18:23:07 查看 阅读:16

CMPA0060002F是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够满足各种高效能设计需求。
  其封装形式为TO-252(DPAK),能够在较高的电流和电压环境下稳定工作,同时具备优异的耐热特性和较低的功耗。

参数

最大漏源电压(VDS):60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):41A
  导通电阻(RDS(on)):2mΩ
  栅极电荷(Qg):38nC
  开关时间:ton=9ns, toff=17ns
  工作结温范围(Tj):-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻RDS(on),可显著降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 高电流承载能力,支持大功率应用场景。
  4. 优异的热稳定性,能够在高温环境下长时间运行。
  5. 小型化封装设计,便于PCB布局优化。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级开关。
  4. 各类负载开关和保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 汽车电子中的电池管理系统(BMS)和逆变器控制。

替代型号

IRFZ44N, SI4870DY, FDP067N06L

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CMPA0060002F参数

  • 标准包装25
  • 类别RF/IF 和 RFID
  • 家庭RF 放大器
  • 系列-
  • 频率20MHz ~ 6GHz
  • P1dB-
  • 增益18.8dB
  • 噪音数据-
  • RF 型-
  • 电源电压2 V ~ 28 V
  • 电流 - 电源-
  • 测试频率500MHz
  • 封装/外壳780019
  • 包装管件