时间：2025/6/29 4:42:05
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CMP75N03是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件适用于需要高效开关和低导通电阻的电路设计，广泛用于电源管理、电机驱动以及负载切换等应用领域。其高击穿电压和低导通电阻特性使其在高频开关应用中表现出色。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：14A
导通电阻（典型值）：3.6mΩ
栅极电荷：27nC
反向恢复时间：8ns
工作结温范围：-55℃至150℃
CMP75N03具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提高效率。
2. 高速开关性能，能够满足高频应用需求。
3. 小型封装（TO-252），适合空间受限的设计。
4. 具有良好的热稳定性和可靠性，适用于恶劣的工作环境。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
CMP75N03广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器的高效开关元件。
3. 电池保护电路和负载切换。
4. 电机驱动和H桥电路中的功率开关。
5. 各类消费电子设备中的电源管理模块。
IRLZ44N, FDP5570, AO3400
