型号：CMP04FS
　　制造商：CSTG（Compound Semiconductor Technologies Global Limited）
　　晶体管类型：GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）
　　漏极-源极击穿电压（V(br)ds）：≥65 V
　　连续漏极电流（Idc）：4.0 A
　　最大输出功率（Pout）：典型值 4 W（在特定频率和调制条件下）
　　工作频率范围：1.8 GHz – 3.8 GHz（适用于多标准基站应用）
　　小信号增益（Gain）：≥18 dB @ 2.5 GHz
　　功率附加效率（PAE）：≥55% @ 2.5 GHz，饱和输出时
　　输入/输出阻抗：匹配至50 Ω（片内或封装级匹配）
　　封装形式：陶瓷无引线封装（如LGA或类似）
　　热阻（Rth）：≤3.0 °C/W（从结到壳）
　　栅极宽度：4 × 0.25 mm（总栅宽1 mm）
　　推荐栅极偏压（Vgs）：-2.8 V 至 -3.2 V（关断状态）
　　推荐漏极偏压（Vds）：28 V 或 32 V 操作
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　工作结温：最高 +175°C

CMP04FS的核心优势在于其基于硅基氮化镓（GaN-on-Si）的半导体结构，这种材料体系结合了III族氮化物的优异电子特性与成熟硅工艺的成本效益。其二维电子气（2DEG）通道位于AlGaN/GaN异质结界面，具有极高的载流子浓度和迁移率，从而实现了低导通电阻和快速开关响应。这使得器件能够在高频下维持高效率和高功率输出。该器件的小信号增益高达18dB以上，在2.5GHz附近表现出色，非常适合用于预驱动级或主功放级的设计。
　　另一个显著特性是其出色的热性能。尽管GaN器件功率密度高，但CMP04FS通过优化芯片布局和使用高导热陶瓷封装，有效降低了结到壳的热阻（≤3.0°C/W），提升了散热能力，延长了使用寿命并增强了系统可靠性。同时，器件内部集成了静电保护结构，提高了对ESD事件的耐受能力，减少了在装配和使用过程中的损坏风险。
　　CMP04FS还具备良好的线性度和互调失真控制能力，适用于复杂调制信号（如OFDM、WCDMA、LTE等）的应用场景，满足现代通信系统对高数据速率和频谱效率的要求。其稳定的跨导（gm）特性和低栅泄漏电流保证了长期工作的可靠性。此外，该器件支持多种偏置方式，可通过外部负压电源或集成电荷泵电路实现精确控制，适应不同系统的供电需求。整体而言，CMP04FS以其高集成度、高效率和高可靠性，成为中等功率射频放大器设计的关键元件。

CMP04FS广泛应用于各类高性能射频功率放大系统中，尤其适合部署在4G LTE、5G NR宏基站和微蜂窝基站的功率放大器模块中，作为驱动级或末级放大器使用。由于其在2GHz至4GHz频段内的优良性能，该器件可支持多种通信标准，包括但不限于WCDMA、HSPA+、TD-LTE和FDD-LTE，满足运营商对多模多频段基站设备的需求。
　　在军事与航空航天领域，CMP04FS可用于相控阵雷达、电子战系统和战术通信设备中的发射链路设计，提供高功率密度和高效率的射频输出。其宽禁带半导体特性使其能在高温、高辐射环境下稳定运行，提升系统的环境适应性。
　　此外，该器件也适用于工业、科学和医疗（ISM）频段设备，例如射频能量加热、等离子体生成、无线电力传输系统等，这些应用要求长时间连续运行且对能效有严格要求。在测试测量仪器中，CMP04FS还可作为信号发生器或功率放大单元的核心组件，提供纯净且稳定的射频输出。
　　随着5G网络向更高频段扩展，CMP04FS凭借其可扩展性和模块化设计思路，也可作为多芯片组合（MMIC array）的基础单元，构建更高输出功率的合成放大系统。因此，无论是商业通信、国防电子还是高端科研设备，CMP04FS都展现出了广泛的适用性和技术前瞻性。

CGH4004P
　　GAN0404SC
　　QPD1020