CMOZ33VTR 时间：2025/7/4 23:44:59 阅读：5

CMOZ33VTR是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的MOSFET晶体管。该器件采用TO-252封装形式，主要应用于开关电源、电机控制、负载开关以及其他需要高效功率转换的场景中。
　　CMOZ33VTR是一种N沟道增强型MOSFET，其设计特点是低导通电阻和高效率，适用于广泛的工业和消费类电子应用。它具有较低的栅极电荷和快速的开关特性，从而能够降低开关损耗并提升整体系统性能。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：18A
　　导通电阻（典型值）：3.9mΩ
　　栅极电荷：19nC
　　总电容：205pF
　　工作温度范围：-55℃至+175℃

特性

CMOZ33VTR具有以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高效率。
　　2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
　　3. 快速开关速度，减少了开关过程中的能量损失。
　　4. 小尺寸TO-252封装，适合空间受限的应用环境。
　　5. 宽工作温度范围，适应各种极端环境。

应用

该MOSFET广泛应用于多种领域，包括但不限于：
　　1. 开关模式电源（SMPS）
　　2. 直流-直流转换器
　　3. 电池管理与保护系统
　　4. 电机驱动与控制
　　5. 负载开关和过流保护电路
　　6. 工业自动化设备中的功率级切换
　　其高效的性能使其成为现代电子设计中不可或缺的元件之一。