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CMM6004G-SC 发布时间 时间:2025/8/2 0:52:49 查看 阅读:32

CMM6004G-SC 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)推出的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于需要高效率、高频开关操作的电源管理系统。该器件采用先进的沟槽式栅极技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等应用。CMM6004G-SC 封装为 SC-70(SOT-323),属于小型表面贴装封装,适合空间受限的便携式设备设计。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):5.6A(在VGS=10V)
  导通电阻(RDS(on)):最大34mΩ(在VGS=10V)
  功耗(PD):1.5W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装形式:SC-70(SOT-323)

特性

CMM6004G-SC 具有出色的导通性能和快速开关特性,使其在高频应用中表现出色。其低导通电阻有助于降低导通损耗,提高系统效率。该器件的栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关过程中的能量损失,提高电源转换效率。此外,CMM6004G-SC 的热阻较低,能够在高电流负载下保持稳定的工作温度,确保器件在高负载条件下的可靠性。
  这款MOSFET还具备良好的雪崩能量耐受能力,能够在突发高电压条件下保护自身不受损坏,从而提高系统的整体稳定性。其封装形式 SC-70(SOT-323)具有较小的尺寸和良好的散热性能,适合在高密度 PCB 设计中使用。CMM6004G-SC 还符合 RoHS 环保标准,适用于无铅生产工艺。

应用

CMM6004G-SC 主要用于各种电源管理应用,包括同步整流、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及便携式电子设备中的功率控制电路。其高效率和小型封装使其特别适合用于笔记本电脑、智能手机、平板电脑和其它低功耗设备中的电源管理模块。此外,该器件也可用于电机驱动、LED驱动和工业自动化设备中的功率控制电路。

替代型号

Si2302DS、FDN340P、AO3400A、NTMFS4C06N

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