时间：2025/8/2 0:52:49
阅读：45
CMM6004G-SC 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效率、高频开关操作的电源管理系统。该器件采用先进的沟槽式栅极技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等应用。CMM6004G-SC 封装为 SC-70（SOT-323），属于小型表面贴装封装，适合空间受限的便携式设备设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：5.6A（在VGS=10V）
导通电阻（RDS(on)）：最大34mΩ（在VGS=10V）
功耗（PD）：1.5W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：SC-70（SOT-323）
CMM6004G-SC 具有出色的导通性能和快速开关特性，使其在高频应用中表现出色。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损失，提高电源转换效率。此外，CMM6004G-SC 的热阻较低，能够在高电流负载下保持稳定的工作温度，确保器件在高负载条件下的可靠性。
这款MOSFET还具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在突发高电压条件下保护自身不受损坏，从而提高系统的整体稳定性。其封装形式 SC-70（SOT-323）具有较小的尺寸和良好的散热性能，适合在高密度 PCB 设计中使用。CMM6004G-SC 还符合 RoHS 环保标准，适用于无铅生产工艺。
CMM6004G-SC 主要用于各种电源管理应用，包括同步整流、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及便携式电子设备中的功率控制电路。其高效率和小型封装使其特别适合用于笔记本电脑、智能手机、平板电脑和其它低功耗设备中的电源管理模块。此外，该器件也可用于电机驱动、LED驱动和工业自动化设备中的功率控制电路。
Si2302DS、FDN340P、AO3400A、NTMFS4C06N
