类型：MOSFET驱动器
　　通道数：2
　　封装形式：TSSOP
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　供电电压范围：10V 至 30V
　　输出电流能力：±2A（典型值）
　　传播延迟：50ns（典型值）
　　上升/下降时间：15ns（典型值）
　　隔离电压：1500V（HVIC部分）
　　驱动能力：适用于MOSFET和IGBT
　　封装引脚数：16

CMLDM7003JE TR 具备出色的高温稳定性和抗干扰能力，其主要特性包括双通道独立驱动、高速响应、低传播延迟和宽输入电压范围。
　　首先，该芯片的双通道结构允许用户独立控制高边和低边MOSFET，适用于半桥或全桥拓扑结构，适用于DC-DC转换器、电机驱动和逆变器等应用。
　　其次，其高速驱动能力确保了功率器件的快速开关，降低了开关损耗，提高了整体系统效率。典型传播延迟仅为50ns，上升/下降时间控制在15ns以内，非常适合高频开关应用。
　　再者，该芯片采用Cissoid专利的HVIC（高压集成电路）技术，具备1500V的隔离电压，增强了系统的安全性和抗干扰能力。该技术也使得芯片在高压环境下仍能稳定工作，适用于恶劣工业环境。
　　此外，CMLDM7003JE TR 具备宽供电电压范围（10V至30V），支持多种电源架构，适应性强。其输出驱动能力为±2A，可驱动大功率MOSFET或IGBT模块，满足高功率密度设计需求。
　　最后，该器件的封装设计优化了热性能，使其在高温环境中仍能保持稳定运行，符合航空航天、电动汽车、工业自动化等高要求领域的应用标准。

CMLDM7003JE TR 主要应用于需要高温稳定性和高可靠性的电力电子系统中，包括电动汽车的电机控制器、车载充电器、DC-DC变换器、工业电机驱动、智能电网设备、航空电子系统以及高温环境下的功率模块控制等。其高速驱动能力和高隔离电压特性使其成为SiC和GaN等宽禁带半导体器件的理想驱动选择。

ADuM3223, HCPL-3120, IR2110, UCC27531