时间：2025/12/28 1:31:09
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CMI100505VR82K是一款由Conquer Microelectronics（简称CMI，开步电子）生产的精密贴片电阻器，属于其高稳定性薄膜电阻产品线中的一员。该型号采用紧凑的0402（公制1005）封装尺寸，适用于空间受限的高密度印刷电路板设计。作为一款薄膜贴片电阻，CMI100505VR82K采用先进的光刻或真空沉积工艺在陶瓷基板上形成镍铬（NiCr）或类似合金电阻层，确保了优异的电阻精度、长期稳定性和低温度系数。该器件的标称阻值为82.0kΩ，允许的公差为±1%，满足大多数精密模拟电路对阻值一致性的严苛要求。此外，其额定功率通常为0.063W（1/16W），适用于低功耗信号调理、电压分压、偏置网络等应用场景。CMI100505VR82K具有良好的耐湿性和抗老化性能，能够在-55°C至+155°C的宽温度范围内稳定工作，尤其适合在工业控制、医疗设备、通信模块和汽车电子等对可靠性要求较高的领域中使用。该电阻器符合RoHS环保标准，并具备无铅焊接兼容性，支持回流焊和波峰焊等多种表面贴装工艺，便于自动化生产。
型号：CMI100505VR82K
封装尺寸：0402（1.0mm x 0.5mm）
阻值：82.0kΩ
阻值公差：±1%
温度系数：±100ppm/°C
额定功率：0.063W（+70°C）
最高工作电压：100V
最大过载电压：200V
工作温度范围：-55°C ~ +155°C
存储温度范围：-55°C ~ +155°C
基板材料：氧化铝陶瓷
电阻层材料：镍铬合金（NiCr）
端电极结构：三层电极（Ag/Ni/Sn）
焊接方式：回流焊、波峰焊兼容
环保标准：符合RoHS、无卤素
CMI100505VR82K的核心特性之一是其高精度与稳定性，这得益于其采用的薄膜制造工艺。在该工艺中，高纯度镍铬合金通过真空溅射或蒸发的方式均匀沉积在高纯氧化铝陶瓷基板上，随后通过激光调阻技术精确修整至目标阻值，确保批量生产中的阻值一致性达到±1%以内。这种结构不仅提高了初始精度，还显著降低了长期使用过程中的阻值漂移，典型年漂移率低于0.5%，使其非常适合用于需要长期可靠运行的精密测量设备。
该电阻的温度系数控制在±100ppm/°C以内，意味着在环境温度变化时，阻值的变化非常小，从而保证了电路在不同工作条件下的稳定性。例如，在工业传感器信号调理电路中，微小的电阻变化可能导致输出误差放大，而CMI100505VR82K的低TCR特性有效抑制了此类问题。此外，其小型化的0402封装在保持高性能的同时极大节省了PCB空间，特别适用于智能手机、可穿戴设备和物联网终端等追求微型化的产品设计。
电气性能方面，该器件可承受最高100V的工作电压和200V的短时过载电压，具备一定的抗浪涌能力。其三层电极结构（银/镍/锡）增强了焊接可靠性和耐腐蚀性，避免因潮湿或硫化导致的接触不良。整体结构致密，吸湿率低，符合IEC 60115-8等国际标准对固态电阻的要求。在高频应用中，由于薄膜电阻寄生电感和电容较小，CMI100505VR82K也能表现出良好的频率响应特性，适用于滤波器、反馈网络等模拟前端电路。
CMI100505VR82K广泛应用于对精度和可靠性要求较高的电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC模块、数据采集系统和传感器接口电路中作为分压电阻或反馈电阻，确保模拟信号的准确传输与转换。例如，在压力传感器或热电偶信号调理电路中，该电阻用于构建精密放大器的增益设定网络，其低温度系数和高稳定性可有效减少温漂引起的测量误差。
在医疗电子设备中，如心电图机、血糖仪和便携式监护仪，CMI100505VR82K被用于关键信号路径中的偏置和滤波电路，保障生命体征信号的高保真采集。其符合RoHS和无卤要求，也满足医疗产品对环保和安全的严格规范。
通信设备方面，该电阻可用于基站模块、光模块和射频前端的偏置网络中，提供稳定的直流工作点。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和TWS耳机，它常出现在音频编解码器周边、电源管理单元和触摸屏控制器的电阻分压网络中，实现电压监测与信号调节功能。
此外，在汽车电子系统中，包括车身控制模块、车载信息娱乐系统和ADAS传感器单元，CMI100505VR82K凭借其宽温域工作能力和高可靠性，能够适应复杂多变的车载环境，确保系统长期稳定运行。
RC0402FR-0782KL
ERJ-2RKF8201V
RT0402BRD0782KL
SRN0402CR820JT
