时间：2025/12/26 0:41:37
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CMH05MT161是一款由华羿微电子（HYMEC）推出的高压、高频、高可靠性硅基氮化镓（GaN-on-Si）功率场效应晶体管（e-mode GaN FET），采用先进的增强型氮化镓工艺制造，专为高性能电源转换应用设计。该器件具备低导通电阻、快速开关速度以及优异的热性能，适用于在高频率和高效率要求的场景中替代传统硅基MOSFET。CMH05MT161集成了驱动优化结构与保护机制，确保在复杂电磁环境下的稳定运行。其封装形式为贴片式DFN（Dual Flat No-lead），便于自动化生产及高效散热设计，广泛应用于服务器电源、通信电源、太阳能逆变器、车载充电机（OBC）、DC-DC变换器以及无线充电系统等前沿电力电子领域。作为一款增强型氮化镓器件，CMH05MT161在关断状态下默认为截止状态，提升了系统的安全性和易用性，特别适合对能效和功率密度有严苛要求的应用场景。
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（e-GaN FET）
漏源电压（Vds）：160V
连续漏极电流（Id）：5A
脉冲漏极电流（Idm）：20A
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（典型值，@ Vgs=6V）
栅极阈值电压（Vth）：1.3V ~ 2.1V
输入电容（Ciss）：1100pF @ Vds=50V, f=1MHz
输出电容（Coss）：280pF @ Vds=50V, f=1MHz
反向恢复电荷（Qrr）：0C（无体二极管反向恢复）
最大工作结温（Tj）：150°C
封装形式：DFN5×6
CMH05MT161的核心优势在于其基于硅基氮化镓材料体系所实现的卓越开关性能与系统级能效提升。该器件采用增强型（常关型）设计，栅极驱动逻辑与传统硅MOSFET兼容，简化了电路设计并降低了应用门槛。其低至45mΩ的导通电阻显著减少了导通损耗，尤其在中等电流负载条件下表现出更高的效率。由于氮化镓材料具有更高的电子迁移率和更薄的栅氧层，CMH05MT161能够在数十至数百kHz甚至MHz级别的高频下稳定工作，从而允许使用更小体积的磁性元件和电容，大幅提高电源系统的功率密度。
该器件具备极低的寄生参数，包括输入、输出和反向传输电容，有效降低了开关过程中的能量损耗和EMI干扰。同时，其近乎零的反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）消除了传统硅MOSFET中因体二极管反向恢复带来的尖峰电流和损耗问题，极大改善了硬开关拓扑（如图腾柱PFC、LLC谐振转换器）的工作效率与可靠性。此外，CMH05MT161内部集成负温度系数（NTC）传感功能或通过外部匹配可实现过温监测，结合快速短路保护响应能力，可在异常工况下及时关断以保护系统安全。
在可靠性方面，CMH05MT161经过严格的晶圆级和封装级测试，支持长期高温高湿偏压（H3TRB）与高温反向偏压（HTRB）考核，确保在恶劣环境下仍保持稳定的电气性能。DFN封装不仅提供了良好的热传导路径，还具备较低的引线电感，有助于抑制开关过程中的电压振铃现象。整体而言，CMH05MT161凭借其高频、高效、高可靠性的综合优势，正在成为新一代绿色能源与高功率密度电源系统的关键核心器件之一。
CMH05MT161主要面向各类高效率、高频开关电源系统，尤其适用于需要小型化与轻量化设计的高端电力电子设备。其典型应用场景包括但不限于：数据中心与服务器电源中的图腾柱无桥PFC（Power Factor Correction）电路，在此类拓扑中，CMH05MT161的零Qrr特性和快速开关能力可显著降低交叠损耗，实现超过99%的PFC级效率；在车载充电机（OBC）中用于双向AC-DC与DC-DC转换模块，支持宽输入电压范围和高功率密度需求；在通信电源系统（如48V转12V中间母线转换器）中作为同步整流或主开关器件，提升整体转换效率并减少散热负担。
此外，该器件也广泛应用于新能源领域的光伏微型逆变器和储能系统中的DC-AC逆变单元，利用其高频特性减小滤波器尺寸并提升动态响应速度。在消费类电子产品方面，CMH05MT161可用于大功率PD快充适配器（如100W以上GaN充电器），支持高频ZVS/ZCS软开关拓扑，实现小型化设计与低温运行。工业级应用如激光驱动电源、超声波发生器和高频感应加热设备也可从中受益，因其具备出色的dv/dt抗扰能力和热稳定性。随着第三代半导体技术的普及，CMH05MT161正逐步替代传统超结MOSFET，成为构建下一代高效能电源架构的重要选择。
GSC050T161A,GAN050T161E,CMH06MT161
