类型：双共阴极肖特基二极管
　　配置：双二极管共阴极
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流阻断电压（VR）：40V
　　最大均方根电压（VRMS）：28V
　　最大平均整流电流（IO）：500mA（每芯片）
　　最大正向电压（VF）：470mV @ 50mA, 1V @ 500mA
　　最大反向漏电流（IR）：400μA @ 40V, 25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SOT-563（SC-88A）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

CMFD473F4050HANT的核心特性之一是其采用了肖特基势垒技术，这种结构利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而显著降低了正向导通压降。在典型工作条件下，当通过50mA电流时，其正向电压仅为470mV左右，相比标准硅二极管可降低约30%-40%的导通损耗。这不仅提升了整体能效，还减少了热量产生，有助于简化热管理设计。同时，由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不存在少数载流子的存储效应，因此具备极快的开关速度和几乎可以忽略的反向恢复时间（trr < 1ns）。这一特性使其非常适合用于高频开关电源、DC-DC转换器、低压整流以及防止反向电流的应用场景。
　　另一个关键优势在于其双共阴极配置，两个独立的肖特基二极管共享同一个阴极引脚，这种结构常用于全波整流或双通道同步续流路径中，能够有效节省PCB空间并简化布线复杂度。此外，该器件采用SOT-563小型化封装，外形尺寸仅为2.0mm x 1.6mm x 0.95mm，适合高度集成的便携式设备使用。尽管体积小巧，但其内部结构经过优化设计，确保了良好的散热性能和机械稳定性。产品符合AEC-Q101可靠性标准，具备出色的抗湿性、耐焊接热冲击能力，并支持回流焊工艺。所有材料均符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，且为无卤素设计，适用于对环境友好型产品有严格要求的工业与消费电子领域。

CMFD473F4050HANT因其小尺寸、高效能和高可靠性，被广泛应用于多种现代电子系统中。常见用途包括移动设备中的电源路径管理，例如在电池充电电路中作为防反接或负载切换元件；在DC-DC升压或降压转换器中作为同步整流替代方案以提升效率；以及在USB接口、LDO输出端或处理器供电轨中提供瞬态保护和反向电流阻断功能。此外，它也适用于便携式医疗仪器、无线传感器节点、可穿戴设备等对空间和功耗极为敏感的应用场景。在通信模块中，可用于射频信号检波或包络检测电路，得益于其低电容和快速响应特性。工业控制领域的低电压逻辑隔离、电平转换电路同样可受益于该器件的性能优势。由于其宽泛的工作温度范围，从-55°C到+125°C，该二极管也可部署于部分恶劣环境下的嵌入式系统中，如汽车电子外围模块（非引擎舱）、智能家居控制单元等。总之，任何需要小型化、高效率和快速开关响应的低电压整流或保护电路均可考虑采用CMFD473F4050HANT。

MBRS4730T1G
　　NSS20100W1T1G
　　SMS7621-4050
　　DMCA4730LQ100R0F
　　ZMMB4730