CMFB333J4000HANT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高性能功率晶体管,采用先进的封装工艺设计。该器件专为高效率、高频开关应用而优化,适用于电源管理、工业驱动和通信基础设施等场景。其出色的电气特性和紧凑的设计使其成为现代电子设备的理想选择。
型号:CMFB333J4000HANT
类型:GaN 功率晶体管
工作电压:650V
额定电流:40A
导通电阻:40mΩ
栅极电荷:120nC
最大工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247-4L
CMFB333J4000HANT 具备以下显著特点:
1. 高效率:由于其低导通电阻和低栅极电荷,该器件能够实现极高的转换效率。
2. 快速开关能力:得益于 GaN 材料的优异性能,此功率晶体管可支持高达 5MHz 的开关频率。
3. 热稳定性强:能够在宽温度范围内保持稳定的电气性能。
4. 小尺寸设计:相比传统硅基 MOSFET,CMFB333J4000HANT 提供更小的占板面积,有助于减少系统体积。
5. 高可靠性:通过了严格的测试验证,确保在各种应用场景下的长期稳定运行。
6. 低电磁干扰 (EMI):优化的开关波形减少了对周边电路的干扰影响。
CMFB333J4000HANT 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS):
- AC-DC 转换器
- DC-DC 变换器
2. 工业电机驱动:
- 伺服控制系统
- 变频器
3. 新能源:
- 太阳能逆变器
- 电动车充电设备
4. 通信设备:
- 基站电源模块
- 数据中心供电单元
此外,它还可用于消费类电子产品中的快速充电器以及医疗设备中的精密电源管理系统。
CMFG040N65S4,
IRFGB40D,
CMT-G040N65S,
STGW40HP65,
FAN7842