CMD70N03 时间：2025/6/6 8:47:51 阅读：4

CMD70N03 是一款 N 沣道沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和栅极电荷，从而提高了效率并降低了功耗。
　　该 MOSFET 的最大漏源电压为 30V，适合用于低压系统中，例如电池供电设备、电机驱动器和 DC-DC 转换器等。其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的应用场景。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：70A
　　导通电阻（典型值）：2.5mΩ
　　栅极电荷：18nC
　　总电容：495pF
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

CMD70N03 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了在高电流应用中的高效性能。
　　2. 快速开关能力得益于低栅极电荷和输出电荷，适用于高频操作。
　　3. 高雪崩击穿能量增强了器件的鲁棒性，能够在异常条件下保护电路。
　　4. 符合 RoHS 标准，确保环保合规性。
　　5. 小型封装设计节省 PCB 空间，同时保持良好的散热性能。
　　6. 可靠性高，支持长时间稳定运行。

应用

CMD70N03 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关。
　　2. 电机控制和驱动电路，如无刷直流电机（BLDC）控制器。
　　3. 电池管理系统（BMS）中的充放电路径管理。
　　4. 工业自动化设备中的负载切换。
　　5. LED 驱动器和固态照明产品。
　　6. 数据通信和网络设备中的电源管理模块。