时间：2025/8/15 16:26:47
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CMD6LNP-271MB 是一款由Cree（现为Wolfspeed）生产的射频功率MOSFET晶体管，专为高频率和高功率应用设计。该器件采用SiC（碳化硅）技术，具备优异的导热性能和高击穿电压能力，适用于无线通信基础设施、雷达、测试设备和工业加热等高要求的电子系统。
类型：射频功率MOSFET
技术：碳化硅（SiC）
封装类型：金属陶瓷封装
最大漏极电流（ID）：6 A
最大漏源电压（VDS）：270 V
最大栅源电压（VGS）：±30 V
输出功率：在225 MHz下可达125 W
频率范围：DC至1 GHz
增益：约14 dB @ 225 MHz
工作温度范围：-55°C至+200°C
CMD6LNP-271MB采用了先进的碳化硅材料，相较于传统硅基MOSFET，具备更高的热导率和更高的临界电场强度，这使得该器件在高温和高压环境下依然能保持稳定运行。其宽禁带特性降低了导通损耗并提高了开关效率，适用于高功率密度设计。
该器件在1 GHz以下频段具有优异的线性度和高输出功率能力，适合用于宽带和窄带射频放大器设计。其金属陶瓷封装提供了良好的散热性能和机械稳定性，确保在高功率和高振动环境下可靠工作。
此外，CMD6LNP-271MB的栅极结构设计优化了跨导（gm）特性，提高了器件的增益带宽积，使得在高频操作下仍能保持良好的线性放大能力。这种设计特别适用于需要高线性度和高稳定性的射频通信系统。
由于其高击穿电压和优异的热管理能力，该MOSFET可在极端温度条件下长时间运行，适用于航空航天、国防和工业等苛刻环境。
CMD6LNP-271MB广泛应用于射频功率放大器、无线通信基站、雷达系统、射频测试设备、工业加热设备以及宽带通信系统。它适用于需要高功率、高效率和高稳定性的设计场合，尤其在UHF和VHF频段表现出色。
CMD6LNA-271MB, CMP6010D, CGH40010F
