CMD50P06 时间：2025/7/12 19:44:56 阅读：14

CMD50P06是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用TO-277封装，适用于各种功率转换和开关应用。CMD50P06以其低导通电阻、高电流能力和快速开关速度而著称，广泛用于电源管理、电机驱动以及负载切换等场景。
　　其设计目标是提供高效的功率处理能力，并减少在高频开关条件下的能量损耗。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：50A
　　导通电阻：1.8mΩ
　　栅极电荷：49nC
　　输入电容：2050pF
　　反向传输电容：35pF
　　总功耗：150W
　　工作结温范围：-55℃至+175℃

特性

CMD50P06具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），从而降低传导损耗并提高效率。
　　2. 高额定电流能力，能够支持大功率应用。
　　3. 快速开关性能，适合高频电路设计。
　　4. 优异的热稳定性，确保在极端温度条件下可靠运行。
　　5. 紧凑且坚固的封装形式，便于散热管理及板级安装。
　　6. 符合RoHS标准，环保无铅材料制造。

应用

CMD50P06非常适合以下应用场景：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
　　2. 电动工具和家用电器内的直流电机驱动电路。
　　3. 汽车电子系统，如电池保护、DC-DC转换器和LED驱动器。
　　4. 工业自动化设备中的负载控制与电源管理模块。
　　5. 通信设备中要求高效能和小体积解决方案的部分。