技术类型：GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）
　　封装类型：陶瓷金属封装（Metallic Ceramic）
　　工作频率：高达 4 GHz
　　输出功率：150 W（典型值）
　　漏极电压：65 V
　　增益：14 dB（典型值）
　　效率：60% 以上
　　输入驻波比（VSWR）：2:1 最大
　　热阻（Rth）：约 0.35°C/W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

CMD4D13NP-150MC 采用 GaN 半导体技术，具有极高的功率密度和出色的线性度，适用于各种高功率 RF 应用场景。其高效率特性有助于降低系统功耗并减少散热需求，从而提升整体系统可靠性。该器件具备优异的热管理能力，能够在高温环境下稳定运行。此外，CMD4D13NP-150MC 提供了良好的输入匹配，简化了电路设计并提高了系统集成度。该晶体管的高耐压特性（65V 漏极电压）使其在高功率放大应用中表现出色，同时具备较强的抗负载失配能力，能够适应复杂的工作环境。
　　在设计方面，CMD4D13NP-150MC 采用金属陶瓷封装，具有良好的机械稳定性和热传导性能，适合在高振动和恶劣环境中使用。该器件在 4 GHz 以下的频率范围内表现优异，支持多种无线通信标准和雷达系统。其高可靠性和长寿命特性，使其成为工业、军事和商业射频设备的理想选择。

CMD4D13NP-150MC 主要用于高功率射频放大器的设计，广泛应用于无线通信基站、雷达系统、测试与测量设备、工业加热设备以及国防电子系统。其高功率输出和高效能特性，使其成为 4G/5G 基站、广播发射器、射频能量应用以及军事通信系统中的关键组件。此外，该器件也适用于需要高线性度和高稳定性的宽带放大器设计。

CGH40010F, NPT1007, MRF1510